[发明专利]碳化硅单晶锭生长装置有效
| 申请号： | 201910739465.1 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110820046B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 崔正宇;金政圭;具甲烈;高上基;张炳圭 | 申请（专利权）人： | 赛尼克公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;金明花 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 单晶锭 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅单晶锭生长装置，其特征在于，
包括：
晶种，上述晶种的直径为4英寸以上；以及
反应容器，在上述晶种固定于内部的状态下，使晶锭在上述晶种的表面生长，
上述反应容器包括：
晶锭生长部，形成上述反应容器上部的至少一部分，上述晶种固定于其上端；以及
原料收纳部，形成上述反应容器下部的至少一部分，在内部收纳上述晶锭的原料，
上述原料收纳部的内部直径小于上述晶种的直径；上述原料收纳部的外部直径小于上述晶种的直径；
上述原料收纳部的侧壁厚度小于或等于上述晶锭生长部的侧壁厚度；
所述的碳化硅单晶锭生长装置还包括围绕上述反应容器的隔热部件，上述隔热部件的与上述原料收纳部侧壁相接触的部位的厚度比与上述晶锭生长部侧壁相接触的部位更厚。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶锭生长装置，其特征在于，上述原料收纳部的内部直径为上述晶种的直径的50％至80％。
3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶锭生长装置，其特征在于，上述原料收纳部的外部直径为上述晶种的直径的70％至90％。
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