[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有初始半导体结构；

在所述衬底表面形成介质层，所述介质层内具有暴露出所述初始半导体结构表面的第一开口；

刻蚀所述第一开口底部暴露出的初始半导体结构，在所述初始半导体结构内形成第二开口；

在所述第二开口内形成接触层，所述接触层内具有第三开口；

在所述第一开口与所述第三开口内形成导电结构。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为单层结构或多层结构。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述衬底为单层结构时，所述衬底包括初始衬底以及位于所述初始衬底内的外延层，所述初始半导体结构为所述外延层。

4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述衬底为多层结构时，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层包括器件结构、以及包围所述器件结构的器件介质层，所述初始半导体结构为所述器件结构。

5.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始半导体结构内掺杂有第一类型离子。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始半导体结构内掺杂所述第一类型离子的工艺为原位掺杂工艺。

7.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为P型离子或N型离子；所述P型离子包括硼离子或铟离子；所述N型离子包括磷离子或砷离子。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接触层与所述第三开口的形成方法包括：在所述第二开口内形成初始接触层；对所述初始接触层进行溅射工艺处理，在所述初始接触层内形成初始第三开口；对所述初始接触层进行退火处理，形成所述接触层、以及位于所述接触层内的第三开口。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始接触层的形成工艺采用物理气相沉积工艺。

10.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的参数包括：退火温度750℃～850℃，退火时间170s～190s。

11.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始接触层的材料包括钛、镍或铂的单金属或合金。

12.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述溅射工艺采用的离子包括钛离子或氩离子。

13.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述溅射工艺的参数包括：溅射时间15s～25s，溅射电压1800W～2200W。

14.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电结构包括阻挡层以及位于所述阻挡层表面的导电插塞。

15.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电结构在形成所述接触层之前形成；或者，所述导电结构在形成所述接触层之后形成。

16.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化钛。

17.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的形成工艺包括原子层沉积工艺。

18.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料包括钨、钴、铜或铝。