[发明专利]一种薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、基板上设置的底栅极，所述底栅极的上方还设置有有源层，所述有源层包括与底栅极的一侧面平行设置的部分，所述有源层的与底栅极侧面相对的部分的另一侧还与设置有顶栅极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一电极，所述第一电极设置于基板上方、底栅极下方，所述有源层与第一电极接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极设置于有源层上方，所述第二电极与有源层接触。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极与底栅极之间设置有第一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述底栅极与有源层之间设置有第二绝缘层，所述有源层与所述顶栅极之间设置有第三绝缘层。

6.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤，图案化底栅极金属层，在底栅极金属层上设置第二绝缘层遮罩，在第二绝缘层上图案化有源层，使得有源层至少包括与底栅极的一侧面平行设置的部分，在该部分上设置第三绝缘层，在第三绝缘层上图案化顶栅极，使得顶栅极设置在有源层的与底栅极侧面相对的部分的另一侧。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，还包括步骤，在基板上设置第一电极，在第一电极上设置第一绝缘层，在第一绝缘层上设置底栅极金属层；在设置第二绝缘层遮罩后进行步骤，蚀刻第二绝缘层、第一绝缘层得到过孔，暴露出第一电极，在第二绝缘层上图案化有源层还使得有源层与第一电极接触。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，还包括步骤，在第三绝缘层上图案化顶栅极具体为，在第三绝缘层上设置金属层，对该金属层进行图案化，形成顶栅极，同时该金属层图案化出第二电极，所述第二电极与有源层接触。