[发明专利]拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构

权利要求书

1.一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，包括层叠设置的：P面电极(1)、P型限制层(2)、P型波导层(3)、有源层、N型波导层(8)、N型限制层(9)、InP衬底(10)、N面电极(11)，其特征在于：所述有源层包括若干层厚度相异的量子阱层，各层量子阱层之间设置势垒层。

2.根据权利要求1所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述有源层为AlGaInAs材料有源层，包括四层量子阱层(4、5、6、7)，厚度分别为7nm、7.5nm、8nm、8.5nm，量子阱层采用In_0.76Ga_0.12Al_0.12As材料，量子阱层之间的势垒层厚度为20nm，势垒层采用Al_0.31Ga_0.18In_0.51As材料。

3.根据权利要求1所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述P面电极(1)上表面设置脊型条(13)，脊型条(13)作为P侧电注入区，所述P面电极(1)上表面、脊型条(13)一侧设置光学吸收区(12)，脊型条(13)的长度方向与脊型条(13)靠近光学吸收区(12)侧端面的垂线成一锐角。

4.根据权利要求3所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述脊型条(13)的长度方向与脊型条(13)靠近光学吸收区(12)侧端面的垂线所成角度为1.3～3°。

5.根据权利要求3所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述脊型条(13)前后腔面上蒸镀宽光谱增透膜。

6.根据权利要求5所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述宽光谱增透膜的反射率小于2％。

7.根据权利要求5所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述宽光谱增透膜的中心波长位于1550nmm。

8.根据权利要求5所述的一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，其特征在于：所述宽光谱增透膜的光谱宽度大于80nm。