[发明专利]一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器

权利要求书

1.一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜；

所述布拉格反射器和所述金属薄膜依次设于所述二氧化硅基底上；

所述布拉格反射器包含多对高折射率薄膜层和低折射率薄膜层，所述高折射率薄膜层和所述低折射率薄膜层由上至下交替设置，所述布拉格反射器顶层为高折射率薄膜层，且该层的材料为二氧化钛；

所述金属薄膜的顶部一侧设有顶部导电电极，位于所述布拉格反射器顶层的所述高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。

2.根据权利要求1所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，所述金属薄膜为金、银、钛、铂、锡、钯、镍、铬中的一种或其金属氮化物。

3.根据权利要求2所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，所述金属薄膜厚度为5～100nm。

4.根据权利要求1所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于：所述高折射率薄膜层和所述低折射率薄膜层的对数为3～20。

5.根据权利要求1所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，所述布拉格反射器顶部的所述高折射率薄膜层的厚度为10～2000nm。

6.根据权利要求1所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于，所述高折射率薄膜层替换为：氧化锌、氮化硅、硫化锌、氧化铟锡、氧化钨中的一种。

7.根据权利要求1所述的基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，其特征在于：所述低折射率薄膜层为二氧化硅、氧化铝或氟化镁。