[发明专利]表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法

权利要求书

1.一种表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，其特征是：

具体步骤是：

1)将表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片放入清洗液Ⅰ中，向清洗液Ⅰ中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗，所述清洗液Ⅰ是体积比为1:2～1:4氢氟酸与超纯水混合得到的氢氟酸溶液，清洗时间为30min～60min；

2)用超纯水冲洗步骤1)经腐蚀清洗的单晶硅垫片至pH值为7；

3)在室温下对步骤2)经超纯水冲洗的单晶硅垫片使用兆声波清洗机在清洗液Ⅱ中清洗，兆声波频率为700kHz-1000KHz，清洗时间为10min，所述清洗液Ⅱ为HCl、H₂O₂和去离子水的混合溶液，其中HCl与去离子水的体积比为1:6～1:8，所述H₂O₂与去离子水的体积比为1:4～1:6；

4)用超纯水冲洗步骤3)经兆声波辅助清洗的单晶硅垫片至pH值为7；

5)再将步骤4)经超纯水冲洗的单晶硅垫片放入清洗液Ⅲ中，向清洗液Ⅲ中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗，所述清洗液Ⅲ是体积比为1:2～1:4氢氟酸与超纯水混合得到的氢氟酸溶液，清洗时间为30min～60min；

6)用超纯水冲洗步骤5)经腐蚀清洗的单晶硅垫片至pH值为7；

7)使用氮气风刀吹干单晶硅垫片。

2.根据权利要求1所述的表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，其特征是：所述清洗液Ⅰ中氢氟酸与超纯水的体积比为1:2，所述清洗液Ⅲ中氢氟酸与超纯水的体积比为1:3。

3.根据权利要求1所述的表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，其特征是：单晶硅垫片的氮化铝膜厚度≥10nm时，步骤1)清洗时间为60min，步骤5)清洗时间为60min。

4.根据权利要求1所述的表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，其特征是：步骤1)和步骤5)鼓氮清洗时，氮气的流量为8L/min。