[发明专利]一种像素结构、显示面板以及显示装置在审
申请号: | 201910740615.0 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110429124A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 李蒙;李永谦;袁志东;袁粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 崔家源;夏东栋 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素单元 栅线 亚像素 像素结构 显示面板 显示装置 像素空间 像素重复 外侧面 三角形结构 交叉设置 依次排列 阵列分布 倒置 数据线 分辨率 两组 平行 | ||
1.一种像素结构,包括:交叉设置的栅线和数据线,以及阵列分布的多个像素重复模块;其特征在于,所述像素重复模块包括:
按照顺序依次排列的多个像素单元,每个所述像素单元包括布置为三角形结构的三个亚像素,且每个所述像素单元中的三个所述亚像素与相邻的所述像素单元中的三个所述亚像素互为倒置布置;
每个所述像素单元对应两组栅线,每组所述栅线包括两条相互平行的栅线,第一组栅线分别位于所述像素单元的第一外侧面和第二外侧面,所述第二组栅线均位于所述像素单元中位于第一行的所述亚像素和位于第二行的所述亚像素之间。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一组栅线中的两条栅线分别与每个所述像素单元中位于第一行的所述亚像素和位于第二行的所述亚像素的与所述栅线最接近的两个侧面相连接,所述第二组栅线中的两条栅线分别与所述位于第一行的所述亚像素和所述位于第二行的所述亚像素的与所述栅线最接近的两个侧面连接。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述栅线包括竖直部,所述栅线通过所述竖直部与对应的所述亚像素连接。
4.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第一组栅线中的两条所述栅线分别到对应的所述亚像素的距离相等;以及所述第二组栅线中的两条所述栅线分别到对应的所述亚像素的距离相等。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,每条所述数据线对应每个所述像素单元中上下相邻的两个亚像素或者对应分别位于两个相邻的所述像素单元中的上下相邻的两个亚像素。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述数据线包括相互平行的第一竖直部和第二竖直部,在所述第一竖直部和所述第二竖直部之间连接有水平部,在所述水平部上设有节点,所述数据线通过所述节点与对应的两个亚像素连接。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,所述节点为一个。
8.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,所述节点为两个,所述数据线通过每个所述节点与对应的亚像素连接。
9.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括感测线,每条所述感测线对应于每个所述像素单元。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述感测线与每个所述像素单元中位于第一行的所述亚像素的侧面连接,并分别与位于第二行的两个所述亚像素的侧面连接;或者所述感测线分别与每个所述像素单元中位于第一行的两个所述亚像素的侧面连接,并与位于第二行的所述亚像素的侧面连接。
11.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括:电源线,每条电源线的水平部与位于同一行的多个所述像素单元的所述第一外侧面或者所述第二外侧面相连接。
12.根据权利要求11所述的像素结构,其特征在于,每个所述像素单元对应两条所述电源线,其中,一条电源线的水平部与每个所述像素单元中位于所述第一行的亚像素中与所述电源线最接近的侧面连接,另一条电源线的水平部与每个所述像素单元中位于第二行的所述亚像素中与所述电源线最接近的侧面连接。
13.根据权利要求11所述的像素结构,其特征在于,每条所述电源线的水平部到与其连接的所述亚像素的距离相等。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的像素结构,其特征在于,每个所述像素单元中的三个所述亚像素为不同颜色的亚像素。
15.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-12中任一项所述的像素结构。
16.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-12中任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的