[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.半导体器件(100)，包括：

“n”对pn结结构，其中n是≥2的整数，其中第i对包括第i类型的两个pn结结构，其中i∈{1,…,n}，其中所述第i类型的所述两个pn结结构是反串联连接的，

其中所述第i类型的所述pn结结构被布置为具有第i结缓变系数m_i，

其中所述n对pn结结构中的至少第一对被布置为具有第一结缓变系数m₁，其中并且m₁＜0.50，以及所述n对pn结结构中的第二对被布置为具有第二结缓变系数m₂，其中并且

其中所述n对pn结结构中的所述第一对和所述第二对的所述结缓变系数m₁、m₂被调整，以导致所述半导体器件的具有信号功率水平(PH3)的杂散三次谐波信号的产生，所述信号功率水平(PH3)相比于针对参考情况获得的所述杂散三次谐波信号的参考信号功率水平(PH3)低至少10dB，其中在所述参考情况中，所述第一结缓变系数和所述第二结缓变系数m₁、m₂为0.25。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一到第n结缓变系数m₁到m_n在±0.05的容差范围内符合所述以下椭圆等式：

其中

其中参数a_i是基于所述第i类型的所述pn结结构的零偏置电容C_J0i和结电压电位V_Ji来确定的。

3.半导体器件，包括：

“n”对pn结结构，其中n是≥2的整数，其中第i对包括第i类型的两个pn结结构，其中i∈{1,…,n}，其中所述第i类型的所述两个pn结结构是反串联连接的，

其中所述第i类型的所述pn结结构被布置为具有第i结缓变系数m_i。

其中所述第一到第n结缓变系数m₁到m_n在±0.05的容差范围内符合所述以下椭圆等式：

其中

其中所述n对pn结结构中的至少第一对被布置为具有第一结缓变系数m₁，其中并且m₁<0.50，并且所述n对pn结结构中的第二对被布置成具有第二结缓变系数m₂，其中其中参数a_i是基于所述第i类型的所述pn结结构的零偏置电容C_J0i和结电压电位V_Ji来确定的。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中所述n对pn结结构中的所述第一对被布置为具有所述第一结缓变系数m₁，其中m₁≤0.48。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中所述n对pn结结构中的所述第二对被布置为具有所述第二结缓变系数m₂，其中m₂＞0.50。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的半导体器件，其中所述第一至第n参数“a₁到a_n”中的每个参数基于所述n个零偏置电容C_J0,1-C_J0,ni以及基于所述n对pn结结构的所述n个结电压电位V_J1-V_Jn来确定。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一到第n参数“a₁到a_n”符合以下等式：

8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中针对所述第一到“第n”结缓变系数m₁到m_n的值被调整，以产生至少50dBm的三阶截取点IP3。