[发明专利]柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置在审
申请号: | 201910741619.0 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110429125A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 郑海;李瀚;黄耀;吴高翔;冉海童;李佳成;金福实 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性显示 基板 制作 无机膜层 柔性显示装置 构图工艺 栅绝缘层 绑定区 弯折区 显示区 电极 层间绝缘层 缓冲层 台阶状 阻隔层 侧壁 膜层 制备 贯穿 | ||
1.一种柔性显示基板的制作方法,所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区,其特征在于,所述制作方法包括:
在完成所述柔性显示基板的无机膜层的制备后,通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔,所述第一过孔的侧壁呈台阶状,所述无机膜层包括以下至少一种膜层:阻隔层,缓冲层,第一栅绝缘层,第二栅绝缘层和层间绝缘层。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制作方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔包括:
在所述无机膜层上涂覆光刻胶,利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域,所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面,所述光刻胶完全去除区域对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域,所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔之外的其他区域,所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分;
对所述光刻胶完全去除区域的无机膜层进行刻蚀,去除所述光刻胶完全去除区域的全部所述无机膜层,形成第一过渡过孔;
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶;
对所述光刻胶部分保留区域的无机膜层进行刻蚀,去除所述光刻胶部分保留区域的部分所述无机膜层,形成所述第一过孔。
3.根据权利要求2所述的柔性显示基板的制作方法,其特征在于,全部所述无机膜层包括:阻隔层,缓冲层,第一栅绝缘层,第二栅绝缘层和层间绝缘层;
部分所述无机膜层包括第一栅绝缘层,第二栅绝缘层和层间绝缘层。
4.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制作方法,其特征在于,在形成所述第一过孔的构图工艺中,通过同次构图工艺形成位于显示区的至少一个第二过孔。
5.根据权利要求4所述的柔性显示基板的制作方法,其特征在于,所述第二过孔包括暴露出栅金属层图形的栅金属层连接过孔和暴露出源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔。
6.根据权利要求5所述的柔性显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述第一过孔和所述第二过孔之前,所述方法包括:
提供一柔性基底;
在所述柔性基底上形成阻隔层;
在所述阻隔层上形成缓冲层;
在所述缓冲层上形成有源层和源漏金属层图形;
形成覆盖所述有源层和所述源漏金属层图形的第一栅绝缘层;
在所述第一栅绝缘层上形成栅金属层图形;
形成覆盖所述栅金属层图形的第二栅绝缘层;
形成层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的柔性显示基板的制作方法,其特征在于,通过一次构图工艺形成所述第一过孔和所述第二过孔包括:
在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶;
利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域,所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面,所述光刻胶完全去除区域包括对应所述栅金属层连接过孔的第一区域、对应所述源漏金属层连接过孔的第二区域以及对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域的第三区域,所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔和所述第二过孔之外的其他区域,所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分;
通过干法刻蚀,去除所述第一区域的层间绝缘层和第二栅绝缘层,形成暴露出所述栅金属层图形的栅金属层连接过孔;去除所述第二区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层,形成暴露出所述源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔;去除所述第三区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层、第一栅绝缘层、缓冲层和阻隔层,形成第一过渡过孔;
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶;
通过干法刻蚀,去除所述光刻胶部分保留区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层,形成所述第一过孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的