[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版

说明书

本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域光刻图形的侧壁的高度高，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌。本发明还公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造中掩模版，特别是涉及一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版(Mask)。

背景技术

光刻图形的定义是一种图形复印即曝光和化学腐蚀即显影相结合的精密表面加工技术。通常情况下，刻蚀制程或者掺杂制程要求光刻定义出的光刻胶形貌倾斜角度即光刻图形的侧壁的侧面倾角接近90度。但少数特殊器件制程要求获得倾斜一定角度的光刻图形形貌，进而得到一定倾斜度的刻蚀形貌。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。

为解决上述技术问题，本发明提供的用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版中，在掩模版上形成有掩模版图形，所述掩模版图形用于定义光刻图形。

所述光刻图形具有侧壁，在所述掩模版图形上设置有定义所述光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，所述掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域所述光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域所述光刻图形的侧壁的高度高，所述掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义所述光刻图形的侧壁形貌。

进一步的改进是，所述光刻图形包括间隔(Space)图形和线条(Line)图形。

进一步的改进是，当所述光刻图形为间隔图形时，所述光刻图形具有内侧面，所述掩模版图形具有内侧面，所述掩模版侧面图形结构位于所述掩模版图形的内侧面上，所述掩模版侧面图形结构中曝光光强越大的区域越靠近所述掩模版图形的内侧面的内侧，使所述光刻图形的侧壁具有倾角小于90度的内侧面形貌。

进一步的改进是，对于一个所述间隔图形，所述间隔图形的宽度方向为X方向，所述间隔图形的长度方向为Y方向，在所述X方向或者所述Y方向上的至少一个内侧面上具有倾角小于90度的内侧面形貌，各所述间隔图形的内侧面形貌相同或不同。

进一步的改进是，所述掩模版侧面图形结构具有多个俯视面呈孔或缝隙形状的空心结构，所述空心结构之间为实心结构，通过对所述空心结构的大小和排列的设置来形成使曝光光强逐渐变化的结构，所述空心结构的尺寸越大曝光光强越大。

进一步的改进是，所述空心结构的俯视面结构为方形或者为圆形；所述空心结构的尺寸包括多种，所述空心结构按照尺寸的大小从所述掩模版图形的内侧面由外往内排列，越靠近内侧的所述空心结构的尺寸越大。

进一步的改进是，尺寸相同的所述空心结构排列成一行且所述空心结构排列成的行和所述掩模版图形的内侧面的底边平行；所述空心结构排列成的行数大于1。

进一步的改进是，通过设置各行中的所述空心结构的第一间距以及不同行的所述空心结构之间的第二间距设置所述空心结构的排列密度，所述空心结构的排列密度越大曝光光强越大；同一行中各所述空心结构的第一间距相同，不同行的各所述空心结构的第一间距相同或不同，各所述第一间距和所述第二间距相同或不相同。

进一步的改进是，不同行的所述空心结构错开排放，相邻两行的所述空心结构错开的宽度大于尺寸较大的所述空心结构的尺寸的1/5。