[发明专利]侧墙结构的制造方法、侧墙结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201910742964.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110504163B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 曹欣雨;曹坚;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种侧墙结构的制造方法，其特征在于，包括：
S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上包括由隔离结构隔离出的多个有源区，在有源区内形成阱结构，并在阱结构区域的半导体衬底表面形成多晶硅栅结构；
S2：依次淀积一层氧化硅层和氮化硅层，氧化硅层和氮化硅层覆盖半导体衬底的表面及多晶硅栅结构的表面；
S3：进行第一次刻蚀工艺，使得覆盖在半导体衬底及多晶硅栅结构顶部的氮化硅层被去除，并在多晶硅栅结构的侧面形成初始侧墙层；
S4：在步骤S3之后再沉积一层氮化硅层，氮化硅层覆盖半导体衬底的表面及多晶硅栅结构的表面；以及
S5：进行第二次刻蚀工艺，使得覆盖在半导体衬底及多晶硅栅结构顶部的氧化硅层和氮化硅层被去除，并在多晶硅栅结构的侧面形成二次侧墙层，由氧化硅层、初始侧墙层和二次侧墙层构成多晶硅栅结构的侧墙结构。
2.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，在步骤S1与步骤S2之间还包括步骤Sa：在多晶硅栅结构的侧边形成栅极侧墙。
3.根据权利要求2所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，在步骤Sa与步骤S2之间还包括步骤Sb：轻掺杂漏注入工艺。
4.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，步骤S2淀积的氧化硅层的厚度为至之间。
5.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，步骤S2淀积的氮化硅层的厚度为至之间。
6.根据权利要求4所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，步骤S2淀积的氮化硅层的厚度为至之间。
7.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，步骤S3中，氧化硅层为第一次刻蚀工艺的刻蚀阻挡层。
8.根据权利要求6所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，在步骤S3中，形成的初始侧墙层的厚度约为
9.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，在步骤S4淀积的氮化硅层的厚度为至之间。
10.根据权利要求8所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，在步骤S4淀积的氮化硅层的厚度为至之间。
11.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，步骤S5中，多晶硅栅结构的多晶硅为第二次刻蚀工艺的刻蚀阻挡层。
12.根据权利要求1所述的侧墙结构的制造方法，其特征在于，在步骤S5中，形成的二次侧墙层的厚度约为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
