[发明专利]一种基于PN结的谐振腔型电光调制器在审
| 申请号： | 201910743215.5 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110456529A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈鹤鸣;闫飞旭 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董建林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210003江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振腔 硅基光子晶体 电光调制器 半导体技术领域 光子晶体波导 区域外部 谐振腔型 中心区域 负电极 正电极 基底 调制 | ||
1.一种基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：包括基底，和硅基光子晶体平板，所述硅基光子晶体平板中间为光子晶体波导，平板的中心区域为谐振腔，谐振腔区域外部设有正电极和负电极；所述谐振腔内分布有P型掺杂区和N型掺杂区。
2.根据权利要求1所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：所述硅基光子晶体平板上除光子晶体波导处，其余部分均设置有周期排列的圆形的空气孔。
3.根据权利要求2所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：所述谐振腔由谐振腔区域内的周期排列的空气孔平移预设距离形成，所述空气孔从谐振腔区域中心向谐振腔外部移动。
4.根据权利要求2所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：所述硅基光子晶体平板为二维三角晶格光子晶体，厚度为0.2μm~0.22μm，所述二维三角晶格光子晶体的晶格常数为400nm~440nm。
5.根据权利要求1所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：从正电极至负电极方向，依次分布有P型重掺杂区，P型轻掺杂区，N型轻掺杂区和N型重掺杂区；所述P型轻掺杂区，N型轻掺杂区位于谐振腔内。
6.根据权利要求5所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：所述P型重掺杂区和N型重掺杂区掺杂浓度均为2×1019 cm−3~2×1021 cm−3；所述P型轻掺杂区掺杂浓度为1×1017 cm−3~1×1019 cm−3，N型轻掺杂区掺杂浓度为6×1016 cm−3~6×1018 cm−3。
7.根据权利要求1所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：所述电极采用反向偏置电压，P型掺杂区为正极，N型掺杂区为负极；所述P型掺杂区电压设置为0V，N型掺杂区电压范围设置为0V~2V。
8.根据权利要求1所述基于PN结的谐振腔型电光调制器，其特征在于：所述光子晶体平板上还设有涂覆层，涂覆层厚度为3μm~4μm。
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