[发明专利]一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路

权利要求书

1.一种基于SOI工艺的晶闸管器件，其特征在于，包括SOI衬底和位于所述SOI衬底上的ESD保护元胞单元；

所述ESD保护元胞单元包括一N阱区(2)和一P阱区(4)，所述N阱区(2)与所述P阱区(4)在所述SOI衬底表面彼此隔开设置，所述N阱区(2)上方形成有自对准的第一栅极(10)，所述P阱区(4)上方形成有自对准的第二栅极(11)；

所述ESD保护元胞单元还包括第一P型导电区(1)、第一N型导电区(3)和第二N型导电区(5)，所述第一N型导电区(3)的两侧分别与所述N阱区(2)和所述P阱区(4)相互接触且不重叠，所述N阱区(2)的两侧分别与所述第一P型导电区(1)和所述第一N型导电区(3)相互接触且不重叠，所述P阱区(4)的两侧分别与所述第一N型导电区(3)和所述第二N型导电区(5)相互接触且不重叠；

所述第一P型导电区(1)连接阳极(8)，所述第二N型导电区(5)连接阴极(9)。

2.根据权利要求1所述的基于SOI工艺的晶闸管器件，其特征在于，所述第一P型导电区(1)、所述第一N型导电区(3)和所述第二N型导电区(5)均通过自对准工艺形成。

3.根据权利要求2所述的基于SOI工艺的晶闸管器件，其特征在于，所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层(6)和顶层硅，所述ESD保护元胞单元形成为深入到所述埋氧层(6)上。

4.根据权利要求2所述的基于SOI工艺的晶闸管器件，其特征在于，所述第一P型导电区(1)为P型重掺杂区，所述第一N型导电区(3)和所述第二N型导电区(5)均为N型重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的基于SOI工艺的晶闸管器件，其特征在于，所述ESD保护元胞单元有多个，多个所述ESD保护元胞单元并联连接。

6.根据权利要求1或5所述的基于SOI工艺的晶闸管器件，其特征在于，所述埋氧层(6)上设有浅沟槽隔离结构(7)，所述浅沟槽隔离结构(7)位于所述ESD保护元胞单元的两端。

7.一种静电保护电路，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的基于SOI工艺的晶闸管器件，所述阳极(8)接正极，所述阴极(9)接负极。

8.根据权利要求7所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一栅极(10)和所述第二栅极(11)均为浮空状态；或者，所述第一栅极(10)接正极，所述第二栅极(11)接负极。

9.根据权利要求7所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一栅极(10)与所述阳极(8)之间连接有第一电阻，所述第二栅极(11)与所述阴极(9)之间连接有第二电阻。

10.根据权利要求7所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一栅极(10)与所述第二栅极(11)之间连接有外部触发电路。