[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910743789.2 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110444552A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;李春杰;方明旭 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;张振军 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 滤色镜 格栅结构 格栅开口 白光 衬底 半导体 光生载流子 表面形成 芯片空间 网格状 堆叠 溢出 | ||
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的表面形成网格状的格栅结构，所述格栅结构具有多个格栅开口；
在至少一个格栅开口内形成包含有非白光滤色镜与白光滤色镜的堆叠滤色镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述非白光滤色镜为绿光滤色镜。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述白光滤色镜的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在至少一个格栅开口内形成包含有非白光滤色镜与白光滤色镜的堆叠滤色镜包括：
在所述格栅开口内形成所述非白光滤色镜；
在所述非白光滤色镜的表面形成白光滤色镜，以形成所述堆叠滤色镜。
5.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述非白光滤色镜的表面形成白光滤色镜，以形成所述堆叠滤色镜之前，还包括：
采用第一掩膜版，对所述堆叠滤色镜进行光线照射，以硬化所述堆叠滤色镜。
6.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述非白光滤色镜的表面形成白光滤色镜，以形成所述堆叠滤色镜之后，还包括：
在剩余格栅开口中，形成单色光滤色镜；
其中，所述单色光滤色镜的顶部表面与所述堆叠滤色镜的顶部表面齐平。
7.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，
所述非白光滤色镜的厚度与所述白光滤色镜的厚度的比值根据预设的透光率确定，所述透光率与单位时间内透过所述堆叠滤色镜的光线产生的光生载流子的数量呈正比；
其中，所述比值越大，所述透光率越小。
8.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，
所述非白光滤色镜的厚度与所述白光滤色镜的厚度的比值选自：0.05至0.5。
9.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
网格状的格栅结构，位于所述半导体衬底的表面，所述格栅结构具有多个格栅开口；
非白光滤色镜与白光滤色镜的堆叠滤色镜，位于至少一个格栅开口内。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述非白光滤色镜为绿光滤色镜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
