[发明专利]一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器

权利要求书

1.一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器,其特征在于:包括基底层(1),所述基底层(1)的上方设置有半导体层(4)，所述半导体层(4)的左部分上方设置有外尔半金属层(3)，所述外尔半金属层(3)的上方设置有第一电极层(2)；所述半导体层(4)的右部分上方设置有掩膜层(5)；所述第一电极层(2)与外尔半金属层(3)为欧姆接触，所述外尔半金属层(3)与半导体层(4)为欧姆接触；

其中，所述半导体层(4)包括石墨烯层和半导体颗粒，所述半导体颗粒位于外尔半金属层(3)和石墨烯层之间，所述半导体颗粒的热膨胀系数大于石墨烯层，并通过半导体颗粒使得外尔半金属层(3)与石墨烯层之间构成的范德瓦尔斯结改变。

2.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述半导体层(4)的下方还设置有第二电极层(6)。

3.如权利要求2所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述第二电极层(6)为导电金属制成。

4.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述第一电极层(2)为透光导材料制成。

5.如权利要求4所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述第一电极层(2)为金属氧化物透光导材料制成。

6.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述外尔半金属层(2)厚度为20nm～80nm。

7.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述外尔半金属层(3)是由二碲化钼、砷化铌、砷化钽中的任一种制成。

8.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述掩膜层(5)是由黑色的绝缘橡胶制成。

9.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，其特征在于:所述基底层(1)的位于顶面的侧壁设置有卡槽(7)，所述卡槽(7)内设置有半导体层(4)。