[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的堆叠结构；

所述堆叠结构包括若干栅极层，所述若干栅极层沿垂直所述衬底的方向间隔堆叠设置；

所述堆叠结构中具有台阶区；

所述台阶区中至少有一层台阶包括两层所述栅极层，所述两层栅极层中的一栅极层通过侧表面与第一子导电插塞电连接，另一栅极层通过上表面与第二子导电插塞电连接；

与同一台阶的两层所述栅极层分别连接的所述第一子导电插塞、所述第二子导电插塞呈分立分布。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述两层栅极层中的一栅极层通过侧表面与第一子导电插塞电连接，另一栅极层通过上表面与第二子导电插塞电连接，包括：

所述两层栅极层中相对远离所述衬底的第二栅极层通过侧表面与第一子导电插塞电连接，相对靠近所述衬底的第一栅极层通过上表面与第二子导电插塞电连接；

所述第二子导电插塞贯穿所述第二栅极层。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层至少位于所述第二子导电插塞与所述第二栅极层之间。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述两层栅极层中的一栅极层通过侧表面与第一子导电插塞电连接，另一栅极层通过上表面与第二子导电插塞电连接，包括：

所述两层栅极层中相对靠近所述衬底的第一栅极层通过侧表面与第一子导电插塞电连接，相对远离所述衬底的第二栅极层通过上表面与第二子导电插塞电连接。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层至少位于所述第一子导电插塞与所述第二栅极层之间。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一子导电插塞以及所述第二子导电插塞沿垂直所述衬底的方向设置。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在所述台阶区上还包括第一保护层以及第二保护层，所述第一保护层位于所述第一子导电插塞下方并位于所述台阶的一侧，所述第二保护层覆盖所述第一保护层以及所述堆叠结构。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述台阶区内最靠近衬底的一层台阶仅包括一层栅极层；其他层台阶包括两层栅极层。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一子导电插塞包括与所述一栅极层电连接的第一区域以及位于所述第一区域上的第二区域，所述第一区域的横截面积大于所述第二区域的横截面积。

10.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括若干栅极层，所述若干栅极层沿垂直所述衬底的方向间隔堆叠设置；所述堆叠结构中具有台阶区，所述台阶区中至少有一层台阶包括两层所述栅极层；

在所述台阶区上形成导电插塞，所述两层栅极层中的一栅极层通过侧表面与所述导电插塞中的第一子导电插塞电连接，另一栅极层通过上表面与所述导电插塞中的第二子导电插塞电连接；

与同一台阶的两层所述栅极层分别连接的所述第一子导电插塞、所述第二子导电插塞呈分立分布。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成导电插塞之前，所述方法还包括：

形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述两层栅极层的侧表面；

形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第一保护层以及所述堆叠结构；

刻蚀所述第二保护层以及所述第一保护层，形成暴露所述两层栅极层中相对远离所述衬底的第二栅极层的侧表面的第一子接触孔，在所述第一子接触孔内形成所述第一子导电插塞；以及，刻蚀所述第二保护层以及所述第二栅极层，形成暴露所述两层栅极层中相对靠近所述衬底的第一栅极层的上表面的第二子接触孔，在所述第二子接触孔内形成所述第二子导电插塞。