[发明专利]一种柔性复合基板薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910744368.1 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110581059A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 孙玉俊 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 柯玉珊 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合基板 纳米材料 片层结构 薄膜 掺杂 聚合物电介质 耐热稳定性 水氧阻隔性 薄膜表面 掺杂材料 电路走线 老化性能 柔性基板 柔性面板 无机材料 光滑性 抗磨损 颗粒状 耐高温 耐磨损 平坦化 平整度 短路 断线 划伤 基板 减小 水氧 制备 曲折 | ||
1.一种柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将片层的纳米材料加入有机溶剂中均匀混合，得到第一混合溶液；
步骤二：将步骤一得到的第一混合溶液加入聚合物溶液中均匀混合，得到第二混合溶液；
步骤三：提供一承载基板，将步骤二得到的第二混合溶液涂覆在所述承载基板上，得到柔性复合基板薄膜半成品；
步骤四：将步骤三得到的柔性复合薄膜半成品进行加热烘烤处理，得到柔性复合基板薄膜成品。
2.根据权利要求1所述的柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一具体为：
将片层的纳米材料加入有机溶剂中进行超声波处理，得到第一混合溶液；
所述纳米材料与所述有机溶剂的质量比为0.2-2，进行超声波处理所用的时间为30-60min。
3.根据权利要求1所述的柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二具体为：
将步骤一得到的第一混合溶液加入聚合物溶液中进行超声波处理，得到第二混合溶液；
所述第一混合溶液与所述聚合物溶液的质量比为0.1-1，进行超声波处理所用的时间为30-120min。
4.根据权利要求1所述的柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三具体为：
提供一承载基板，通过流延工艺将步骤二得到的第二混合溶液涂覆在所述承载基板上，得到柔性复合基板薄膜半成品。
5.根据权利要求1所述的柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，步骤四具体为：
将步骤三得到的柔性复合薄膜半成品在60℃的温度下预热0.5-2h后，在100℃的温度下加热烘干2-5h，得到柔性复合基板薄膜成品。
6.根据权利要求1所述的柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米材料为二硫化钼或六方氮化硼，所述有机溶剂为氮-甲基吡咯烷酮溶剂。
7.根据权利要求1所述的柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液为聚酰亚胺溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
