[发明专利]银纳米线薄膜的制备方法

说明书

本发明涉及一种银纳米线薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供银纳米线墨水；将所述银纳米线墨水涂布在基板表面，然后固化处理得到银纳米线薄膜；其中，在所述固化处理的步骤前和/或所述固化处理的步骤中，还包括用多对错开风嘴对涂有所述银纳米线墨水的基板表面进行风吹处理；所述风吹处理中，每对错开风嘴的出风口错开设置，每对风嘴的出风口的出风方向指向所述基板、且与所述基板表面成相同的角度。该制备方法通过以风的物理方式调整或改变银纳米线的排列方向，使银纳米线在基板上各方向分散均匀，而不会出现绝大部分沿涂布方向排列的现象，最终提高了银纳米线薄膜的导电性能。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线薄膜的制备方法。

背景技术

银纳米线(Silver Nanowires，AgNWs)是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料，其长径比可达1000以上。一般来说，银纳米线的长度越长、直径越小，其透光度越高、电阻越小。

银纳米线透明导电薄膜是一种将无数银纳米线与合适的有机交联体在柔性衬底上制成的导电薄膜。相对于传统的氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜，银纳米线透明导电薄膜具有更优的透光性、导电性和弯折性能，以及更低的生产成本。

目前，银纳米线透明导电薄膜是通过卷对卷涂布的方式生产：将银纳米线墨水通过狭缝涂布/微凹涂布在基材上，然后进行固化、成型。在涂布的过程中，由于银纳米线、涂布头、基板之间有剪切力，使银纳米线大部分均沿涂布方向排列，这样的银纳米线排列取向原因，导致最终得到的银纳米线透明导电膜在涂布方向(Machine Direction，MD即纵向)的导电性能比垂直于涂布方向(Transverse Direction，TD即横向)的导电性能更好，即线阻的阻抗_TD/阻抗_MD的比值比较高，使得银纳米线透明导电膜异向线阻阻抗均匀性差，从而很大程度上影响了银纳米线透明导电膜的导电性能。因此现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种银纳米线薄膜的制备方法，旨在解决现有银纳米线薄膜的异向阻抗均匀性差的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种银纳米线薄膜的制备方法，包括如下步骤：

提供银纳米线墨水；

将所述银纳米线墨水涂布在基板表面，然后固化处理得到银纳米线薄膜；

其中，在所述固化处理的步骤前和/或所述固化处理的步骤中，还包括用多对错开风嘴对涂有所述银纳米线墨水的基板表面进行风吹处理；

所述风吹处理中，每对错开风嘴的出风口错开设置，每对错开风嘴的出风口的出风方向指向所述基板、且与所述基板表面成相同的角度。

在一实施例中，所述错开风嘴的出风口宽度为1-10cm；和/或，

所述错开风嘴的出风口与所述基板的垂直距离为5-100cm；和/或，

所述错开风嘴的出风口出风方向与所述基板表面成0°-89°角；和/或，

多对错开风嘴中同侧相邻风口之间的距离为5-50cm。

在一实施例中，所述错开风嘴为扁平风嘴；和/或，

所述多对错开风嘴的数量为1-10对；和/或，

所述多对错开风嘴在所述基板上呈水平单行直线分布或多行阵列分布。

在一实施例中，所述风吹处理中，风的温度为20-150℃；和/或，

风吹时间为5s-10min；和/或，

风吹速度为2.1-5.4m/s。