[发明专利]一种氧化物晶体管显示结构

说明书

一种氧化物晶体管显示结构，在氧化物半导体层SE图案设置有TFT所需的源漏极和沟道区域，其中漏极区域延伸有作为像素电极PE的透明氧化物图案，所述透明氧化物半导体为改性导体化结构，还包括顶公共电极。区别于现有技术，本发明在SE图案设置有TFT所需的源漏极+沟道区域，其中漏极区域有延伸作为像素电极PE图案，对透明氧化物半导体做掺杂or treatment进行改性，实现透明氧化物导体化作为像素电极图案。搭配顶公共电极设计，array基板制程可以减少1‑2道光罩。

技术领域

本发明涉及新的显示晶体管设计，尤其涉及一种能够减少基板所需的制程光罩数，缩减制作成本的氧化物晶体管设计。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。传统a-Si或IGZO TFT有两种常见结构：ESL(etch stop layer)和BCE(Back channel etch)，虽然ESL结构相对BCE结构多了一道ES制程，但因为半导体层IGZO沟道区域未受到SD层刻蚀时的损伤，画素区域TFT电学特性均一性更收敛，是获得高分辨率、高稳定性IGZO显示面板的首选。

由于IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的Ioff，画素TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，有更利于TFT器件的小型化，实现超高分辨率TFT基板的制作。基于以上优点，氧化物半导体显示面板技术已被多家公司所采用的，并实现量产，例如夏普、中电熊猫和京东方等。而随着国内面板技术能力不断提升，如何缩减制程成本，在供过于求的市场趋势下将越发受关注。

发明内容

因此，需要提供一种新的的氧化物晶体管显示结构，达到改性并减少制程，降低制作成本的技术效果。

为实现上述目的，发明人提供了一种氧化物晶体管显示结构，在氧化物半导体层SE图案设置有TFT所需的源漏极和沟道区域，其中漏极区域延伸有作为像素电极PE的透明氧化物图案，所述透明氧化物半导体为改性导体化结构，还包括顶公共电极。

进一步地，还包括光阻保护层PR，所述光阻保护层设置在氧化物半导体层上。

进一步地，还包括蚀刻保护层ES，所述蚀刻保护层设置在氧化物半导体层上。

区别于现有技术，本发明在SE图案设置有TFT所需的源漏极+沟道区域，其中漏极区域有延伸作为像素电极PE图案，对透明氧化物半导体做掺杂or treatment进行改性，实现透明氧化物导体化作为像素电极图案。搭配顶公共电极设计，array基板制程可以减少1-2道光罩。

附图说明

图1为具体实施方式所述的ESL结构氧化物半导体LCD结构示意图；

图2为具体实施方式所述的BCE结构氧化物半导体LCD结构示意图；

图3为具体实施方式所述的氧化物晶体管结构示意图；

图4为具体实施方式所述的氧化物晶体管制程示意图；

图5为具体实施方式所述的氧化物晶体管结构示意图；

图6为具体实施方式所述的氧化物晶体管结构示意图；

图7为具体实施方式所述的氧化物晶体管结构示意图；

图8为具体实施方式所述的漏极SD技术图案结构示意图。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。