[发明专利]一种高选择比的多晶硅蚀刻液及其制备方法

权利要求书

1.一种高选择比的多晶硅蚀刻液，其特征在于：所述的高选择比多晶硅蚀刻液

由硝酸、硝酰类物质、有机碱氢氟酸盐、醋酸和水组成；

所述的硝酸为电子级硝酸，浓度为70-75%；

所述的醋酸为电子级醋酸，浓度大于99.95%；

所述的硝酰类物质为优级纯，含量≥99%；

所述的有机碱氢氟酸盐为优级纯，含量≥97%；

所述的水为25℃条件下，电阻率为18MΩ*cm的超纯水；

多晶硅蚀刻液中的硝酰类物质为四氟硼酸硝酰阳离子、六氟磷酸硝酰阳离子、乙酸硝酰、二硝酰胺铵、硝酰氯、氟化硝酰中的至少一种；多晶硅蚀刻液中的有机碱氢氟酸盐为三乙胺三氢氟酸盐、四乙基氟化铵四氢氟酸盐、氟化四乙铵三氢氟酸盐、吡啶氢氟酸盐、或N,N-二异丙基乙胺三氢氟酸盐中的至少一种；

多晶硅蚀刻液中硝酸的重量含量在60%~70%；醋酸的重量含量在0.5%~5%；硝酰类物质的重量含量在0.05%~1%；有机碱氢氟酸盐的重量含量在3%~10%；水的重量含量为余量。

2.根据权利要求1所述的多晶硅蚀刻液，其特征在于：多晶硅蚀刻液中的硝酰类物质为四氟硼酸硝酰阳离子、或六氟磷酸硝酰阳离子。

3.根据权利要求1所述的多晶硅蚀刻液，其特征在于：多晶硅蚀刻液中硝酸的重量含量在65%；醋酸的重量含量在0.8%~1.2%；硝酰类物质的重量含量在0.2%~0.5%；有机碱氢氟酸盐的重量含量在4%~8%；去离子水的重量含量为余量。

4.根据权利要求1~3任一项所述的多晶硅蚀刻液的制备方法，其特征在于：将超纯水加入到容器中，利用循环泵向超纯水中打入硝酸，再向溶液中打入醋酸，充分混匀后再加入有机碱氢氟酸盐，边加边搅拌，最后加入硝酰类物质，溶解搅拌均匀后利用循环泵在两个容器间循环混合均匀后即得到多晶硅蚀刻液。