[发明专利]超导材料的临界电流测量方法、系统及介质

权利要求书

1.一种超导材料的临界电流测量方法，其特征在于，包括：

时变电流加载步骤：在样品中通以时变电流；

磁场测量步骤：将传感器设置在预设位置，通过传感器测量样品周围的磁场分布或感性电压的分布，获得测量信息；

临界电流判断步骤：根据获得的测量信息，判断样品是否达到临界电流状态，并获得样品的临界电流；

所述时变电流的峰值大于样品的临界电流；

所述临界电流判断步骤：

根据获得的测量信息，获得电压波形图或磁场强度波形图；

根据电压波形图或磁场强度波形图的临界特征，根据临界特征对应的时刻，获得时变电流对应时刻的电流，记为临界电流；

所述样品包括：非理想第二类超导体；

所述传感器包括以下任一种或任多种：

感应线圈、霍尔传感器、巨磁阻效应传感器、SQUID传感器、磁通门磁强计；

所述临界特征包括以下任一种或任多种：

电压波形图或磁场强度波形图的波峰、电压波形图或磁场强度波形图的波谷。

2.一种非理想第二类超导体的临界电流的测量系统，其特征在于，包括：

时变电流加载模块：在样品中通以时变电流；

磁场测量模块：将传感器设置在预设位置，通过传感器测量样品周围的磁场分布或感性电压的分布，获得测量信息；

临界电流判断模块：根据获得的测量信息，判断样品是否达到临界电流状态，并获得样品的临界电流；

所述时变电流的峰值大于样品的临界电流；

所述临界电流判断模块：

根据获得的测量信息，获得电压波形图或磁场强度波形图；

根据电压波形图或磁场强度波形图的临界特征，根据临界特征对应的时刻，获得时变电流对应时刻的电流，记为临界电流；

所述样品包括：非理想第二类超导体；

所述传感器包括以下任一种或任多种：

感应线圈、霍尔传感器、巨磁阻效应传感器、SQUID传感器、磁通门磁强计；

所述临界特征包括以下任一种或任多种：

电压波形图或磁场强度波形图的波峰、电压波形图或磁场强度波形图的波谷。

3.一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1中所述的超导材料的临界电流测量方法的步骤。