[发明专利]一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构有效
申请号: | 201910745236.0 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN112399108B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 | 申请(专利权)人: | 天津大学青岛海洋技术研究院 |
主分类号: | H04N25/76 | 分类号: | H04N25/76;H04N25/709 |
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地址: | 266200 山东省青岛市鳌*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消除 cmos 图像传感器 信号 衰减 供电 结构 | ||
1.一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构,其特征在于:包含6个行驱动模块、6个VDD端口以及6个VSS端口;行控制信号PC、RST和TG的行驱动模块位于像素阵列的左侧,行控制信号S1、S2和SEL的行驱动模块位于像素阵列的右侧;6对电源中的两个VDD1和两个VSS1均用于给PC、RST、S1、SEL的行驱动模块供电,两对VDD1和VSS1的供电端口分别位于整个图像传感器的左右两侧;VDD2和VSS2则用于单独给行控制信号TG的行驱动模块供电,两对VDD2和VSS2的供电端口分别位于驱动模块的上下两侧;VDD3和VSS3则用于单独给行控制信号S2的行驱动模块供电,两对VDD3和VSS3的供电端口分别位于驱动模块的上下两侧;电源VDD2、VSS2和VDD3、VSS3分别分布于像素阵列的两侧,即分别紧挨行控制信号TG的行驱动模块和行控制信号S2的行驱动模块。
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