[发明专利]一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极的制备方法在审
申请号: | 201910745285.4 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110444412A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 肖婷;谭新玉;向鹏;姜礼华 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/30;H01G11/26;H01G11/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米片 薄膜电极 蜂窝结构 蜂窝状 制备 成核剂 基底 六次甲基四胺 导电性 电化学反应 电化学过程 电化学性能 电解液浸润 电解液离子 蜂窝状薄膜 电子传输 活性位点 硫化剂 泡沫镍 水热法 硝酸镍 乙二醇 硫化 溶剂 硫脲 镍源 团簇 薄膜 蜂窝 传输 转化 | ||
本发明公开了一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极及其制备方法,首先以泡沫镍为基底,硝酸镍为镍源,六次甲基四胺(HMTA)为成核剂,采用水热法,得到由纳米片构成的Ni(OH)2蜂窝状薄膜;再以Ni(OH)2为基底,乙二醇作为溶剂,硫脲作为成核剂和硫化剂,一方面对Ni(OH)2进行硫化,使其转化成Ni3S2蜂窝,同时在Ni3S2上生成二次纳米片结构,即可得到等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极。一方面,Ni3S2的导电性比Ni(OH)2更高,能加速电化学过程中电子传输;同时本发明制备的Ni3S2薄膜呈等级蜂窝结构,即组成蜂窝结构的纳米片表面又布满小纳米片团簇,该结构比单一蜂窝结构具有更大的比表面积,能提供更多的电化学反应活性位点,同时有利于电解液浸润和电解液离子传输,从而具有优异的电化学性能。
技术领域
本发明超级电容器领域,具体涉及一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极及其制备方法。
背景技术
采用具有高理论容量的赝电容材料作为电极材料,是提高超级电容器能量密度的有效途径之一。Ni(OH)2作为一种典型的赝电容材料,具有理论容量高、原料丰富、制备方法简单、成本低廉等优势,已成功应用于商用超级电容器。然而,目前商用超级电容器中Ni(OH)2受微观形貌和结构的限制,比容量通常远低于理论容量。研究表明,将Ni(OH)2制备成纳米结构,能增加比表面积,从而获得更高的容量,但目前研究中报道的Ni(OH)2仍然低于其理论容量。同时,由于导电性较差,Ni(OH)2作为超级电容器电极材料时倍率性能和循环稳定性能通常不够理想。相比于金属氢氧化物,金属硫化物的电导率普遍较高,特别是Ni2S3,甚至可归为导体一类,作为超级电容器电极材料时,显示出更优异的倍率特性和循环稳定性。
尽管目前文献中报道了多种制备方法,得到了不同微观结构的Ni2S3,但未见具有等级蜂窝状结构的Ni2S3。
发明内容
本发明的目的是针对Ni(OH)2电极材料比容量低,倍率性能和循环稳定性不佳的问题,对其微观结构和导电性进行双重优化的研究,通过简单的硫化处理即对Ni(OH)2薄膜电极进行硫化,获得导电性能更好的Ni3S2,同时在其表面构造二次纳米片团簇结构,增加电化学活性位点,从而得到具有优异电化学性能的等级蜂窝状Ni3S2薄膜。本方法具有简单易操作、性能优异、无污染等特点,适合制备各种金属硫化物材料。
本发明的技术方案:以泡沫镍为基底,利用两步水热方法,通过第一步获得蜂窝状Ni(OH)2薄膜,紧接着对Ni(OH)2薄膜进行硫化,获得等级蜂窝状Ni3S2薄膜,既提高了导电性,同时也增加了电化学活性位点。
本发明的技术方法包括以下步骤:
(1)将硝酸镍加入去离子水中,搅拌至充分溶解后加入六次甲基四胺(HMTA),再次搅拌,然后将所配溶液倒入反应釜内,将干净的泡沫镍放入反应釜中,在70-100℃,恒温反应8-12h,用去离子水冲洗干净并自然凉干;
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