[发明专利]一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备有效
申请号: | 201910745478.X | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN112444516B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 郭力;李侨;徐战军 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;G06T7/00 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生长 状态 检测 方法 装置 设备 | ||
1.一种硅棒的晶线生长状态检测方法,其特征在于,所述方法包括:
在硅棒处于等径生长的过程中,获取所述硅棒的样本图像;
在所述样本图像上设置检测区域,所述检测区域与所述硅棒的晶线生长线重叠,在所述硅棒处于等径生长的过程中,所述硅棒的晶线沿所述晶线生长线生长;所述检测区域包括:与所述硅棒的轴向方向垂直的线段,或与所述硅棒的轴向方向垂直的矩形区域,其中,所述矩形区域的面与所述硅棒的轴向方向垂直;
生成所述检测区域的灰度值曲线;
根据所述灰度值曲线,确定所述晶线生长线上,所述硅棒的晶线的生长状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述检测区域为与所述硅棒的轴向方向垂直的线段的情况下,所述生成所述检测区域的灰度值曲线的步骤,包括:
从所述线段的一端开始,生成所述线段对应的灰度值曲线。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述检测区域为与所述硅棒的轴向方向垂直的矩形区域的情况下,所述生成所述检测区域的灰度值曲线的步骤,包括:
从所述矩形区域的一端开始,将所述矩形区域划分为多个相同的子区域;
计算每一个所述子区域的平均灰度值;
根据所有所述子区域的平均灰度值,生成所述矩形区域对应的灰度值曲线。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述灰度值曲线,确定所述晶线生长线上,所述硅棒的晶线的生长状态的步骤,包括:
根据所述灰度值曲线,计算所述灰度值曲线的灰度值方差值;
在所述灰度值方差值大于或等于方差值阈值的情况下,确定所述生长状态为连续状态;
在所述灰度值方差值小于所述方差值阈值的情况下,确定所述生长状态为断线状态。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述灰度值曲线,确定所述晶线生长线上,所述硅棒的晶线的生长状态的步骤,包括:
在所述灰度值曲线上存在晶线特征峰的情况下,确定所述生长状态为连续状态;
在所述灰度值曲线上不存在所述晶线特征峰的情况下,确定所述生长状态为断线状态。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述获取所述硅棒的样本图像之后,所述方法还包括:
按照预设的图像增强算法,对所述样本图像进行图像增强处理。
7.一种硅棒的晶线生长状态检测装置,其特征在于,所述装置包括:
样本图像获取模块,用于在硅棒处于等径生长的过程中,获取所述硅棒的样本图像;
检测单元设置模块,用于在所述样本图像上设置检测区域,所述检测区域与所述硅棒的晶线生长线重叠,在所述硅棒处于等径生长的过程中,所述硅棒的晶线沿所述晶线生长线生长;所述检测区域包括:与所述硅棒的轴向方向垂直的线段,或与所述硅棒的轴向方向垂直的矩形区域,其中,所述矩形区域的面与所述硅棒的轴向方向垂直;
灰度值曲线生成模块,用于生成所述检测区域的灰度值曲线;
生长状态确定模块,用于根据所述灰度值曲线,确定所述晶线生长线上,所述硅棒的晶线的生长状态。
8.一种硅棒的晶线生长状态检测设备,其特征在于,所述设备包括:接口,总线,存储器与处理器,所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接,所述存储器用于存储可执行程序,所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如权利要求1至6中任一项所述的硅棒的晶线生长状态检测方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储可执行程序,所述可执行程序被处理器运行实现如权利要求1至6中任一项所述的硅棒的晶线生长状态检测方法的步骤。
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