[发明专利]检测存储器数据处理速度的方法及装置在审
申请号: | 201910745761.2 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110570898A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 李创锋;吳明栩 | 申请(专利权)人: | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 44481 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人: | 曹萌 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 坏块 目标数据块 存储器 数据处理 数据处理操作 获取目标 数据块 提速 种检测 慢速 匹配 节约 申请 制定 | ||
1.一种检测存储器数据处理速度的方法,其特征在于,所述方法包括:
从存储器中提取目标数据块;
在固定时间段内,对所述目标数据块按照第一处理速度进行数据处理操作,
获取所述目标数据块内在所述固定时间段内产生的第一坏块区域;
提高对所述目标数据块的数据处理速度至第二处理速度,
对所述目标数据块按照第二处理速度进行固定时间段的数据处理操作,
获取所述目标数据块在固定时间段内按照第二处理速度进行数据处理操作后产生的第二坏块区域;
判断所述第一坏块区域与所述第二坏块区域是否有差异,
当第一坏块坏块区域与第二坏块区域存在差异时,将所述第二处理速度作为所述存储器的最高数据处理速度;
其中,所述数据处理操作顺序为数据擦除、数据写入和数据读取。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述第一坏块区域与所述第二坏块区域不存在差异时,则提高对所述目标数据块的数据处理速度至第三处理速度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述从存储器中提取目标数据块,包括:
从存储器中提取位三个数据块作为目标数据块,三个数据块包括位于所述存储器内按照物理地址分布的首位数据块、位于所述存储器内按照物理地址分布的末尾数据块、位于所述首位数据块与所述末尾数据块之间的中间数据块。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述位于所述首位数据块与末尾数据块之间的中间数据块,包括:
当所述存储器内数据块的个数为奇数时,选取所述存储器内按照物理地址分布位于中间的数据块作为中间数据块。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述位于所述首位数据块与末尾数据块之间的中间数据块,包括:
当所述存储器内数据块的个数为偶数时,选取所述存储器内按照物理地址分布位于中间的两个数据块中任意一个作为中间数据块。
6.一种检测存储器数据处理速度的装置,其特征在于,所述装置包括:
数据块获取模块,用于从存储器中提取目标数据块;
数据读写模块,用于在固定时间段内,对所述目标数据块按照第一处理速度进行数据处理操作;
第一坏块区域获取模块,用于获取所述目标数据块内在所述固定时间段内产生的第一坏块区域;
提速模块,用于提高对所述目标数据块的数据处理速度至第二处理速度;
处理模块,用于对所述目标数据块按照第二处理速度进行固定时间段的数据处理操作;
第二坏块区域获取模块,用于获取所述目标数据块在固定时间段内按照第二处理速度进行数据处理操作后产生的第二坏块区域;
判断模块,用于判断所述第一坏块区域与所述第二坏块区域是否有差异;
停止模块,用于当第一坏块坏块区域与第二坏块区域存在差异时,将所述第二处理速度作为所述存储器的最高数据处理速度。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
二次提速模块,用于当所述第一坏块区域与所述第二坏块区域不存在差异时,则提高对所述目标数据块的数据处理速度至第三处理速度。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述数据块获取模块包括:
数据块获取单元,用于从存储器中提取位三个数据块作为目标数据块,三个数据块包括位于所述存储器内按照物理地址分布的首位数据块、位于所述存储器内按照物理地址分布的末尾数据块、位于所述首位数据块与所述末尾数据块之间的中间数据块。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述中间数据块包括:
当所述存储器内数据块的个数为奇数时,选取所述存储器内按照物理地址分布位于中间的数据块作为中间数据块。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述中间数据块包括:
当所述存储器内数据块的个数为偶数时,选取所述存储器内按照物理地址分布位于中间的两个数据块中任意一个作为中间数据块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金泰克半导体有限公司,未经深圳市金泰克半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910745761.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。