[发明专利]具有NiO在审
| 申请号： | 201910745884.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110571267A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王洪;高升;周泉斌;廖碧艳 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 上表面 源漏电极 栅介质层 钝化层 连接源 漏电极 沉积 电子束蒸发设备 击穿电压性能 电流崩塌 叠层结构 漏电 保护层 表面态 连接栅 栅电极 电极 减小 薄膜 制备 损伤 生长 优化 | ||
1.具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件，其特征在于，所述器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极上和AlGaN/GaN外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积第一介质层和第二介质层，第二介质层的上表面连接栅电极，栅电极位于源漏电极之间，第一介质层为NiOX，第一介质层和第二介质层共同作为MIS-HEMT器件的钝化层和栅介质层。
2.根据权利要求1所述的具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件，其特征在于，第二介质层为SiNX、SiO2或者SiON。
3.根据权利要求1所述的具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件，其特征在于，第一介质层的厚度为6-18 nm。
4.根据权利要求1所述的具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件，其特征在于，第二介质层的厚度为5-10 nm。
5.制备如权利要求1至4任一项所述具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）进行台面隔离以及欧姆接触在AlGaN/GaN外延的上表面制备源漏电极，在源漏电极上和AlGaN/GaN外延上表面连接源漏电极以外的区域沉积一层Ni金属，高温氧化处理，形成第一介质层NiOX；
（2）在第一介质层NiOX上沉积第二介质层，最后进行栅电极的沉积。
6.根据权利要求5所述的制备具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（1）中第一介质层由电子束蒸发Ni金属，然后在快速退火炉中高温氧化处理形成。
7.根据权利要求5所述的制备具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（1）中Ni金属的沉积速率为0.02 - 0.05 nm/s，沉积的厚度为3 - 10 nm。
8.根据权利要求5所述的制备具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（1）中高温氧化处理在快速退火炉或炉管中进行。
9.根据权利要求8所述的制备具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（1）中高温氧化处理时快速退火炉或炉管的腔体温度为300-400 ℃，氧气流量为50-100sccm，高温氧化处理的时间为10-30 min，退火的升温速率为7-15 °C/s。
10.根据权利要求5所述的制备具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（2）中第二介质层沉积的方法为等离子体增强化学的气相沉积法即PECVD。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学，未经中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910745884.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
