[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 201910746121.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110416406A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉晔;俞文杰;刘强 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 明志会 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁存储器件 通道隔离 第二面 自由层 固定层 自由层磁化方向 磁存储器 临界电流 不平行 减小 | ||
1.一种磁存储器件，包括
固定层、通道隔离层、自由层；
所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；
其特征在于，
所述自由层具有相对的第一面和第二面，所述第二面较所述第一面远离所述通道隔离层，所述第一面与所述第二面不平行。
2.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，所述第一面是非中心对称面结构。
3.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，所述第一面是曲面结构。
4.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，所述第一面是平面结构。
5.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，所述第一面与所述通道隔离层相接触。
6.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，在所述第一面与所述通道隔离层中间有非磁性薄膜层。
7.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，所述固定层和所述自由层为CoFe、NiFe、CoFeB、CoFeCr、CoFePt、CoFePd、CoFeTb、CoFeGd或CoFeNi中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，还包括第一电极和第二电极；所述第一电极位于所述固定层下方，所述第二电极位于所述自由层上方。
9.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，还包括半导体器件，所述半导体器件与所述固定层电连接。
10.根据权利要求1所述的磁存储器件，其特征在于，还包括衬底，所述衬底位于所述固定层下方。
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