[发明专利]一种用于制造半导体器件隔离结构的方法及其半导体器件有效
| 申请号： | 201910746200.4 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110661170B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 洪鹏达;高逸;洪鹏辉;刘前勇;洪宝璇;薛欣 | 申请（专利权）人： | 深圳市矽赫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人： | 李戍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市粤海街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体器件 隔离 结构 方法 及其 | ||
1.一种用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，包括在所述器件以及基底上形成光刻胶层；在所述光刻胶层中形成第一结构；保留所述第一结构；在所述器件、基底和所述第一结构表面形成导电层；掀离所述第一结构；
所述导电层的形成方法包括对所述器件、基底和所述第一结构进行有角度蒸镀；
所述第一结构包括多栅格结构，所述多栅格结构满足以下关系：
h=Δh+h'=Δh+d∙cotθ；其中h为栅格高度，d为栅格间距，θ为蒸镀倾斜角度，Δh＞0。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，所述第一结构成型方法包括在所述光刻胶层上方设置掩模层，并用所述掩模层对光刻胶层曝光处理。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，所述第一结构成型方法包括对所述光刻胶层进行曝光处理，所述光刻胶为负性光刻胶，所述曝光处理包括干涉光处理。
4.根据权利要求2或3任一项所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，所述第一结构保留的方法包括对所述光刻胶层进行溶解；所述溶解用溶剂包括显影液。
5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，所述蒸镀方式包括电子束蒸镀、溅射。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，所述第一结构掀离方法包括对所述第一结构进行溶解。
7.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，Δh与h的比例为30%~80%；θ为45°。
8.根据权利要求2或3任一项所述的用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，在所述曝光处理之前对所述光刻胶层进行烘焙处理。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括下列方法制成：提供一基底，在基底上形成器件，并在基底上形成一导电隔离结构；所述导电隔离结构形成的方法包括在所述器件以及基底上形成光刻胶层；在所述光刻胶层中形成第一结构；保留所述第一结构；在所述器件、基底和所述第一结构表面形成导电层；掀离所述第一结构；所述导电层的形成方法包括对所述器件、基底和所述第一结构进行有角度蒸镀；
所述第一结构包括多栅格结构，所述多栅格结构满足以下关系：
h=Δh+h'=Δh+d∙cotθ；其中h为栅格高度，d为栅格间距，θ为蒸镀倾斜角度，Δh＞0。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述器件包括线性激光器。
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