[发明专利]等离子处理装置

权利要求书

1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：

真空容器；

载置台，其具备在所述真空容器的内部载置被处理样品的电极基材、覆盖所述电极基材的外周部分的由绝缘性的材料形成的基座环、以及绝缘环，该绝缘环配置为被所述基座环覆盖并包围所述电极基材的外周，跨上表面和与所述电极基材的外周对置的内周面的至少一部分形成了覆盖这些面的上表面的薄膜电极；

第1高频电力施加部，其对所述载置台的所述电极基材施加第1高频电力；

第2高频电力施加部，其对形成于所述绝缘环的所述薄膜电极施加第2高频电力；

等离子产生单元，其在所述真空容器的内部使所述载置台的上部产生等离子；和

控制部，其控制所述第1高频电力施加部、所述第2高频电力施加部和所述等离子产生单元。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述薄膜电极由电介质的膜覆盖表面。

3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述薄膜电极由钨的膜形成，所述电介质的膜由氧化铝形成。

4.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述薄膜电极的所述钨的膜通过将钨热喷涂在所述绝缘环的表面而成形。

5.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，

覆盖所述薄膜电极的表面的所述氧化铝的膜通过覆盖所述绝缘环的形成所述钨的膜的部分而热喷涂氧化铝而成形。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述绝缘环的形成所述薄膜电极的部分当中的所述绝缘环的上表面和与所述电极基材的外周对置的面相交的部分以带圆的面连接。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述载置台具有周边部分相对于中央部分而凹陷的阶梯差形状，所述绝缘环以搭载于所述载置台的周边部的凹陷的阶梯差形状部分的状态被所述基座环覆盖。

8.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子产生单元具备：

电介质窗，其在所述真空容器的上部与所述载置台对置配置，由电介质材料形成；

电力提供部，其从所述真空容器的上部经由所述电介质窗对所述真空容器的内部提供高频电力；和

磁场产生部，其配置于所述真空容器的外部，使所述真空容器的内部产生磁场。