[发明专利]一种柔性显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201910747074.4 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN110556405B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 卢瑞;尹雪兵 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/82 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明揭露一种柔性显示面板及其制备方法,通过在挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜,可有效减缓挡墙侧壁的坡度,在一定程度上减小上层封装结构中无机膜层的应力集中作用,保护膜在受到应力作用时,可有效缓释应力,削弱甚至消除挡墙角落处封装结构对阳极层的应力作用。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
随着OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术的快速发展,推动曲面和柔性显示产品迅速进入市场,相关领域技术更新也是日新月异。OLED器件是利用有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的二极管器件。OLED器件因其重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大等优势,受到了广泛关注。
由于OLED器件的发光材料对水氧十分敏感,少量的水氧入侵即会造成器件的快速衰减及老化,从而影响其寿命。有效的阻隔外界水氧对OLED器件的破坏,以保证OLED柔性显示面板具有较长的使用寿命,其封装技术尤为重要。
现有的薄膜封装(TFE)设计,一般采用无机/有机膜层堆叠结构来达到阻隔水氧的目的。其中,无机膜层主要作用是阻隔水氧,一般由化学气相沉积(Chemical VaporDeposition,CVD)工艺或原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)工艺制备;有机膜层主要起使基板表面平坦化、包覆住污染颗粒(particle)及缓释应力的作用,一般由喷墨打印(Inkjet Printing,IJP)工艺或原子层沉积工艺制备。为了防止有机膜层流出无机膜层的覆盖区域,一般会在显示面板的显示区(Active Area,简称AA)外围设计一个或多个挡墙(Dam)。
请参阅图1,现有OLED显示面板部分层状结构剖视图。所述OLED显示面板包括一TFT(薄膜晶体管)阵列基板11、形成于所述TFT阵列基板11上的发光器件层12,围绕所述发光器件层12的边缘设置的一挡墙13以及形成于所述发光器件层12上的封装结构14。
所述TFT阵列基板11包括一TFT阵列层111、形成于所述TFT阵列层111上的一平坦化层(PLN)112。所述TFT阵列层111为所述OLED面板的驱动电路,是显示面板的重要组成部分;所述平坦化层112主要起平整所述TFT阵列基板11上因各种不同层图案所造成的面内段差,以及隔离TFT与发光器件层、防止电场干扰的作用。
所述发光器件层12包括依次层叠设置的一阳极(ANO)层121,一像素定义(PDL)层122,一发光材料层123以及一阴极层(未示于图中)。所述阳极层121采用一第一ITO层1211/一Ag层1212/一第二ITO层1213夹层结构。所述发光材料功能层123制备在所述像素定义层122所定义的区域。
所述挡墙13用于防止所述封装结构14中的有机膜层材料流出无机膜层的覆盖区域。
所述封装结构14包括:覆盖所述挡墙13、所述发光器件层12以及所述TFT阵列基板11的一第一无机膜层141、沉积在所述第一无机膜层141之上的第一有机膜层142、覆盖所述第一有机膜层142、所述第一无机膜层141的第二无机膜层143。
请参阅图2,现有OLED显示面板阳极层产生剥落现象示意图,图中阳极层121上的箭头示意应力方向。在实际的OLED显示面板封装可靠性试验中,发现经过所述封装结构14封装后,所述阳极层121的第二ITO层1213与Ag层1212之间易在挡墙的角落处产生剥落现象(peeling)201,即挡墙角落处的所述阳极层121自身会产生剥离,进而导致封装失效。分析原因如下:
1)无机膜层的应力集中作用:因挡墙为阻挡有机膜层溢出,一般高度较高,且挡墙处的封装膜层仅有无机膜层,无应力缓释作用,这就导致在挡墙角落处应力较大,较大的应力会将上层ITO层抓起,从而导致上层ITO层与Ag层剥离,产生剥落现象,这也是阳极层发生剥落现象的主要因素;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的