[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有有源区；

所述有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；和

所述栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比所述栅电极层的上表面低的高度处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极层在第一方向上延伸以与所述有源区交叉，所述栅电极层在垂直于所述第一方向的第二方向上在两侧具有倒圆的拐角。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极层的所述上表面具有上凸形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：栅盖层，覆盖所述栅电极层和所述栅隔墙层的上表面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅隔墙层的不与所述栅结构接触的外侧表面与所述栅盖层的侧表面共面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅隔墙层的上表面具有下凸形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅介电层覆盖所述栅电极层的下表面和侧表面，在所述栅电极层的所述侧表面上，所述栅介电层的上端处于与所述栅电极层的上表面相同的高度，或者处于比所述栅电极层的上表面低的高度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述栅介电层的上端所处的高度相比于靠近所述栅电极层的最高部分的程度更靠近所述栅隔墙层的上表面。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述栅介电层包括所述衬底上的第一栅介电层以及所述第一栅介电层上并延伸至所述栅电极层的侧表面上的第二栅介电层，以及

所述栅介电层的上端是所述第二栅介电层的上端。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅介电层的上端具有与所述栅电极层的上表面连续的轮廓。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅介电层的上端具有与所述栅隔墙层的上表面连续的轮廓。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极层在第一方向上延伸，所述栅电极层的中心区处的厚度大于边缘区处的厚度，所述厚度沿与所述第一方向垂直的第二方向测量。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极层的上表面具有两个或更多个曲面。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极层包括：

第一导电层，延伸到所述栅隔墙层的侧表面上，和

第二导电层，在所述第一导电层在所述栅隔墙层的侧表面上的部分之间。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源/漏区，位于所述栅结构两侧的所述有源区中；以及

接触插寨，连接到所述源/漏区。

16.一种半导体器件，包括：

衬底，具有有源区并具有第一区和第二区；

所述第一区上的第一栅电极层，在第一方向上延伸，所述第一栅电极层具有在与所述第一方向垂直的第二方向上的第一长度；以及

所述第二区上的第二栅电极层，在所述第一方向上延伸，所述第二栅电极层在所述第二方向上的第二长度大于所述第一长度，

其中，所述第一栅电极层和所述第二栅电极层在所述第二方向上的边缘区处具有第一厚度，并且在所述边缘区向内的区域中具有大于所述第一厚度的第二厚度。