[发明专利]图像传感器及其制造方法

说明书

公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括多个滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和使所述多个滤色器彼此分离的上部。栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。

本申请要求于2018年9月7日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0107279号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包括于此。

技术领域

本公开涉及一种图像传感器，具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换到电信号中的电子装置。随着最近计算机和通信工业的发展，在诸如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统、游戏机、监控摄像机、用于医疗应用的微型相机和/或机器人的各种应用中，对高性能图像传感器的需求有所增加。

图像传感器通常可以分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。由于CMOS图像传感器具有简单的操作方法和可以以其中集成了信号处理电路的单芯片的形式提供，所以能够减小与CMOS传感器一起的产品的尺寸。另外，由于CMOS图像传感器需要相对低的功耗，所以它容易应用于具有有限电池容量的电子装置。此外，CMOS图像传感器可以使用CMOS制造技术来制造，因此，可以降低CMOS的生产成本。此外，CMOS图像传感器可以提供高分辨率图像。因此，CMOS图像传感器的使用正在迅速地增加。

发明内容

发明构思的一些实施例提供了一种改善了光学特性的图像传感器。

根据发明构思的一些实施例，图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和与滤色器彼此分离的上部，其中，栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。

根据发明构思的一些实施例，图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和与滤色器彼此分离的上部，其中，栅栏图案的上部的宽度大于下部的宽度，抗反射层包括抗反射图案，抗反射图案通过栅栏图案彼此分离并且分别设置在所述多个单元像素上。

根据发明构思的一些实施例，制造图像传感器的方法可以包括：提供包括单元像素的基底；在基底的第一表面上顺序地形成抗反射层和牺牲层；对牺牲层和抗反射层进行图案化以形成沟槽；形成栅栏图案以填充沟槽；去除牺牲层以形成多个开口，所述多个开口中的每个开口通过栅栏图案的侧表面和抗反射层的顶表面限定；以及在所述多个开口中形成滤色器。

附图说明

图1是示出了根据发明构思的一些实施例的图像传感器的框图。

图2是根据发明构思的一些实施例的图像传感器的有源像素传感器阵列的电路图。

图3是示出了根据发明构思的一些实施例的图像传感器的平面图。

图4是沿图3的线I-I'截取的剖视图。

图5A是图4的区域AP的放大图。

图5B至图5J是均示出了根据发明构思的一些实施例的图像传感器的区域(例如，图4的区域AP)的放大剖视图。

图6至图9是沿图3的线I-I'截取以示出根据发明构思的一些实施例的制造图像传感器的方法的剖视图。

图10是示出了根据发明构思的一些实施例的图像传感器的剖视图。

图11是示出了根据发明构思的一些实施例的图像传感器的框图。