[发明专利]一种三工位碳化硅籽晶粘接炉在审

专利信息
申请号: 201910747240.0 申请日: 2019-08-14
公开(公告)号: CN110396718A 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 李留臣;周洁;周正星;王建康 申请(专利权)人: 江苏星特亮科技有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 刘鑫
地址: 215627 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 压盘 粘接 上加热盘 碳化硅籽晶 中空腔体 三工位 坩埚盖 球面活动连接 托盘 驱动机构 受力均匀 下加热盘 抽真空机构 托盘上表面 承载工件 上下活动 上下运动 压紧工件 压力均匀 籽晶表面 上表面 输出端 下表面 上端 籽晶 驱动 传递 保证
【说明书】:

发明公开了一种三工位碳化硅籽晶粘接炉,包括具有中空腔体的主体、设于中空腔体中的托盘、三个设于托盘上表面的用于承载工件的下加热盘、可上下活动的设于中空腔体中的且位于托盘上方的压盘、三个与下加热盘一一对应的设于压盘下表面的上加热盘、连接在主体上的抽真空机构、用于驱动压盘上下运动的驱动机构;压盘的顶端与驱动机构的输出端之间球面活动连接,压盘用于将压力均匀的传递至每个上加热盘上;上加热盘的上端与压盘之间球面活动连接,上加热盘用于均匀压紧工件的上表面。本发明一种三工位碳化硅籽晶粘接炉,一次对三个坩埚盖进行籽晶粘接,粘接效率较高,同时还能够保证三个坩埚盖受力均匀,每个坩埚盖上的籽晶表面受力均匀。

技术领域

本发明涉及一种三工位碳化硅籽晶粘接炉。

背景技术

物理气相输运法(PVT法)是碳化硅单晶生长的主要技术方法,该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部,用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上,形成一个密闭空间,石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶,通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统进行加热,使石墨坩埚本体内的碳化硅多晶原料升华,并维持碳化硅多晶原料与碳化硅籽晶间具有合适的温度梯度,升华后的碳化硅粒子就会在碳化硅籽晶上沉积生长,从而获得碳化硅单晶。

将籽晶粘接在坩埚盖的下表面进行生长,现有的装置一般一次只能粘接一个,粘接效率较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种三工位碳化硅籽晶粘接炉,能够一次对三个坩埚盖进行籽晶粘接,粘接效率较高,同时还能够保证三个坩埚盖受力均匀,每个坩埚盖上的籽晶表面受力均匀。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种三工位籽晶粘接炉,包括具有中空腔体的主体、设于所述中空腔体中的托盘、三个设于所述托盘上表面的用于承载工件的下加热盘、可上下活动的设于所述中空腔体中的且位于所述托盘上方的压盘、三个与所述下加热盘一一对应的设于所述压盘下表面的上加热盘、连接在所述主体上的用于为所述中空腔体抽真空的抽真空机构、连接在所述压盘上的用于驱动所述压盘上下运动的驱动机构;

所述压盘的顶端与所述驱动机构的输出端之间球面活动连接,所述压盘,用于将压力均匀的传递至每个所述上加热盘上;

所述上加热盘的上端与所述压盘之间球面活动连接,所述上加热盘,用于均匀压紧所述工件的上表面。

优选地,所述驱动机构包括输出轴、开设于所述输出轴底端的球形槽,所述压盘包括第一本体、设于所述第一本体顶端的用于配合的卡入所述球形槽中的球形铰接头。

优选地,所述上加热盘包括从上往下依次连接的第一轴、第二轴和用于抵压所述工件的第二本体,所述第一轴间隙配合的穿设于所述压盘中,所述第二轴的直径大于所述第一轴的直径,所述第二轴位于所述压盘的下方,所述上加热盘还包括间隙配合的套设于所述第一轴上的且连接在所述压盘下表面的凸球面垫圈、间隙配合的套设于所述第一轴上的且连接在所述第二轴顶端的凹球面垫圈,所述凸球面垫圈配合的抵设于所述凹球面垫圈中。

更优选地,所述第一轴向上穿出所述压盘,所述上加热盘还包括间隙配合的套设于所述第一轴上端的且设于所述压盘上表面的螺母。

优选地,所述粘接炉包括连接架、设于所述连接架上的称重传感器、下端设于所述称重传感器上的且上端穿入所述中空腔体中的用于支撑所述托盘的支撑柱。

更优选地,所述驱动机构包括设于所述连接架上的驱动缸、可沿自身长度延伸方向活动的穿设于所述驱动缸中的输出轴,所述输出轴的下端穿入所述中空腔体中。

优选地,所述托盘、所述下加热盘、处于自由状态的所述压盘、处于自由状态的所述上加热盘的轴心线方向均沿竖直方向延伸。

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