[发明专利]软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件

说明书

本发明的目的在于提供一种能够实现高初始磁导率的软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。本发明的软磁性体组合物具有多个软磁性合金颗粒，软磁性合金颗粒含有元素M和铁，元素M的离子化倾向比硅强，在软磁性合金颗粒之间的区域内具有作为非晶层的Si－M氧化物或Si－M复合氧化物。

技术领域

本发明涉及软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。

背景技术

金属磁性体与铁氧体相比，具有能够得到高饱和磁通密度的优点。作为这种金属磁性体，已知有Fe－Si－Al系合金和Fe－Si－Cr系合金等。

在专利文献1中，提出了使用含有铬、铝和硅且提高了磁导率的磁性体的线圈型电子部件。

作为线圈型电子部件，例如可以举出电感器、EMC用线圈、变压器等。

近年来，用于这些线圈型电子部件的磁性体越来越要求初始磁导率的进一步提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－249774号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明就是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够实现高初始磁导率的软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。

用于解决技术问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的软磁性体组合物的特征在于，

具有多个软磁性合金颗粒，

上述软磁性合金颗粒含有元素M和铁，

上述元素M的离子化倾向比硅强，

在上述软磁性合金颗粒之间的区域内具有作为非晶层的Si－M氧化物或Si－M复合氧化物。

本发明的软磁性体组合物中，软磁性合金颗粒含有元素M，且在软磁性合金颗粒之间的区域内具有作为非晶层的Si－M氧化物或Si－M复合氧化物，由此，能够实现高初始磁导率。

在将上述软磁性合金颗粒之间的区域内的硅的质量相对于硅、元素M和铁的合计质量的比率最大的部位设为峰值位置时，

优选上述作为非晶层的Si－M氧化物或Si－M复合氧化物存在于上述峰值位置。

本发明的软磁性体组合物中，作为非晶层的Si－M氧化物或Si－M复合氧化物存在于峰值位置，由此，能够实现高初始磁导率。

优选上述软磁性体组合中，在上述峰值位置，元素M相对于硅的质量比率M/Si为0.05以上。

本发明的软磁性体组合物中，M/Si为规定值以上，由此，能够实现高初始磁导率。

优选在包含上述峰值位置在内的规定范围内，硅和元素M连续存在，上述规定范围是相邻的软磁性合金颗粒之间的距离的50％以上的范围。

本发明的软磁性体组合物中，在规定范围内硅和元素M连续存在，由此，能够实现高初始磁导率。

另外，本发明的磁芯由上述任一项所述的软磁性体组合物构成。

优选在上述磁芯的表面的至少一部分形成有覆盖层。

本发明的线圈型电子部件具有上述磁芯。作为线圈型电子部件，没有特别限定，可以例示电感器、EMC用线圈、变压器等电子部件。特别适合于能够在电路板上面安装的小型化的线圈型电子部件。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的磁芯；