[发明专利]阵列基板以及其制作方法

说明书

一种阵列基板，包含基板、金属遮光层、导电保护层、缓冲层、晶体管和像素电极。所述导电保护层覆盖所述金属遮光层。所述缓冲层位于所述基板上并覆盖所述导电保护层。所述晶体管位于所述缓冲层上，连接所述导电保护层。所述像素电极连接所述晶体管。有效的解决了金属氧化物薄膜晶体管驱动背板铜氧化的问题，透明导电层覆盖在遮光层铜的表面，形成对铜的保护，防止铜氧化，避免铜的扩散，减少蚀刻对铜的伤害，减小遮光层铜剥离的风险。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板以及其制作方法。

背景技术

顶栅自对准结构的金属氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)背板，遮光层采用铜(Cu)可以减轻其它金属层的走线风险，但是铜会有氧化问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种阵列基板以及其制作方法，以解决现有技术的问题。

本发明的技术方案提供一种阵列基板以及其制作方法，所述阵列基板包含：基板；金属遮光层，位于所述基板上；导电保护层，覆盖所述金属遮光层；缓冲层，位于所述基板上并覆盖所述导电保护层；晶体管，位于所述缓冲层上，连接所述导电保护层；以及像素电极，连接所述晶体管。

依据本发明的实施例，所述金属遮光层的材质为钼、铝、铜、钛或合金中的至少一种。

依据本发明的实施例，所述金属遮光层的厚度为50-1000nm。

依据本发明的实施例，另包含第一电极，所述第一电极和所述像素电极形成存储电容，所述第一电极、所述像素电极以及所述导电保护层均为透明导电材料。

依据本发明的实施例，所述晶体管包括：有源层，位于所述缓冲层上；N+半导体层，位于所述有源层；所述晶体管的沟道，位于所述有源层；栅极绝缘层，位于所述有源层上；栅极金属层，位于所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，位于与所述栅极金属层上；第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述层间绝缘层；第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层；以及输出极，位于层间绝缘层上，所述输出极通过所述第一接触孔连接到所述N+半导体层，所述输出极通过所述第二接触孔连接到所述导电保护层。

本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，其包含：在基板上形成金属遮光层；在所述基板上沉积第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行光刻形成第一电极以及导电保护层，所述导电保护层覆盖所述金属遮光层；形成缓冲层于所述基板上并覆盖所述第一电极以及所述保护层；形成晶体管位于所述缓冲层上；以及形成像素电极位于所述晶体管上方，所述像素电极与所述第一电极形成存储电容。

依据本发明的实施例，所述金属遮光层的材质为钼、铝、铜、钛或合金中的至少一种；

依据本发明的实施例，所述金属遮光层的厚度为50-1000nm。

依据本发明的实施例，所述形成晶体管步骤包括：光刻沉积在所述缓冲层上的导电材料层以形成有源层；沉积绝缘材料层和金属材料层于所述缓冲层上；光刻金属材料层以形成栅极金属层；以栅极金属层做为屏蔽，蚀刻所述绝缘材料层以形成栅极绝缘层；对所述有源层进行等离子化制程，以形成N+半导体层以及所述晶体管的沟道；光刻沉积于所述缓冲层上的层间绝缘层和所述缓冲层以形成第一接触孔以及第二接触孔，其中所述第一接触孔贯穿所述层间绝缘层，所述第二接触孔贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层；以及形成所述晶体管的输出极，使得所述输出极通过所述第一接触孔连接到所述N+半导体层，所述输出极通过所述第二接触孔连接到所述导电保护层。

依据本发明的实施例，还包括：光刻沉积于所述层间绝缘层上的平坦化层以形成第三接触孔；以及形成所述像素电极，使得所述像素电极通过所述第三接触孔连接到所述输出极。

本发明的有益效果是：透明导电层覆盖在遮光层铜的表面，形成对铜的保护，防止铜氧化，避免铜的扩散，减少蚀刻对铜的伤害，减小剥离风险。

附图说明