[发明专利]像素结构在审
申请号: | 201910748483.6 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN110444548A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 郑贸薰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 张燕华;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一区 栅极绝缘层 通道层 连接电极 介电层 导电性 像素结构 垂直投影 电性连接 基板 区位 覆盖 | ||
一种像素结构,包括通道层、栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、介电层以及连接电极。通道层设置在基板之上,并具有第一区、第二区与第三区,其中第二区位在第一区与第三区之间,且第二区的导电性大于第一区及第三区的导电性。栅极绝缘层覆盖在通道层上。第一栅极及第二栅极设置在栅极绝缘层之上,并分别位在第一区及该第三区之上。介电层设置在栅极绝缘层之上。连接电极设置在介电层之上,并电性连接第一栅极及第二栅极,且连接电极于通道层的垂直投影与第一区、第二区及第三区至少部分重叠。
技术领域
本发明是关于一种像素结构。
背景技术
于家用电器设备的各式电子产品之中,应用薄膜晶体管(thin film transistor;TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。薄膜晶体管式的液晶显示器主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光层以及液晶层所构成,其中薄膜晶体管阵列基板包含多个设置以阵列排列的薄膜晶体管,以及与每一个薄膜晶体管对应配置的像素电极,以构成像素结构。此外,薄膜晶体管阵列基板上也会设置金属层,以做为数据线或扫描线使用。
于像素结构之中,若不透光的层体有遮蔽到光线,将会影响到开口率并致使开口率下降,而当开口率下降的时候,液晶显示器的影像显示品质将可能连带受到影响。因此,对于液晶显示器的像素结构的布局配置已是当前相关领域的研发课题之一。
发明内容
本发明的一实施方式提供一种像素结构,包括通道层、栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、介电层以及连接电极。通道层设置在基板之上,并具有第一区、第二区与第三区,其中第二区位在第一区与第三区之间,且第二区的导电性大于第一区及第三区的导电性。栅极绝缘层覆盖在通道层上。第一栅极及第二栅极设置在栅极绝缘层之上,并分别位在第一区及该第三区之上。介电层设置在栅极绝缘层之上。连接电极设置在介电层之上,并电性连接第一栅极及第二栅极,且连接电极于通道层的垂直投影与第一区、第二区及第三区至少部分重叠。
于部分实施方式中,第一区、第二区及第三区为沿着同一方向排列。
于部分实施方式中,第一区及第二区沿着第一方向排列,而第二区及第三区沿着第二方向排列,且第一方向与第二方向相异。
于部分实施方式中,像素结构更包含扫描线。扫描线沿着一方向延伸并连接第一栅极,其中第一区、第二区及第三区的排列方向平行此方向。
于部分实施方式中,像素结构更包含扫描线以及像素电极。扫描线沿着一方向延伸并连接第一栅极。像素电极设置在介电层之上,并连接至通道层,以与通道层形成交界面,其中第一区、第二区、第三区以及交界面的排列方向异于该方向,且第二栅极于通道层的垂直投影位在交界面与第一栅极于通道层的垂直投影之间。
于部分实施方式中,像素结构更包含扫描线以及像素电极。扫描线沿着一方向延伸并连接第二栅极。像素电极设置在介电层之上,并连接至通道层,以与通道层形成交界面,其中第一区、第二区、第三区以及交界面的排列方向异于该方向,且第二栅极于通道层的垂直投影位在交界面与第一栅极于通道层的垂直投影之间。
于部分实施方式中,通道层更具有第四区及第五区,第四区位在第三区与第五区之间,且第四区的导电性大于第五区的导电性。像素结构更包含第三栅极,其中第三栅极设置在栅极绝缘层之上,并位在第五区之上。连接电极更电性连接第三栅极,且连接电极于通道层的垂直投影与第三区、第四区及第五区至少部分重叠。
于部分实施方式中,像素结构更包含源极/漏极电极及平坦层。源极/漏极电极设置在介电层之上,并连接通道层,其中源极/漏极电极及连接电极包含相同的材料。平坦层,设置在介电层之上,并覆盖源极/漏极电极及连接电极。
于部分实施方式中,像素结构更包含平坦层及像素电极。平坦层设置在介电层之上,其中连接电极位在平坦层之上。像素电极设置在平坦层之上,并连接至通道层,其中像素电极及连接电极包含相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的