[发明专利]一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈在审
| 申请号： | 201910748683.1 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110438558A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;郝大维;万静;王遵义;孙健;谭永麟;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B13/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 戴文仪 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切缝 掺杂气路 线圈主体 均匀性 单晶 掺杂 圆弧形 在线圈主体 进气气路 中心设置 出气 线圈本 线圈腿 短切 气路 外圆 对称 延伸 保证 | ||
1.一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，包括线圈主体，所述线圈主体为中心带有线圈眼(1)的圆环形结构，所述线圈主体上开设有以所述线圈眼(1)为中心贯通上下表面的十字切缝(2)，其中一个切缝为长切缝，所述长切缝延伸至所述线圈主体外圆边沿并位于所述线圈主体的两个线圈腿中间，其特征在于：还包括以所述线圈眼(1)为中心围绕所述线圈眼(1)设置于所述线圈主体内的圆弧形的掺杂气路(3)，所述掺杂气路(3)位于所述十字切缝(2)的三个短切缝的外侧，所述掺杂气路(3)的圆弧形的两个端点对称的位于所述长切缝的两侧且不与长切缝连接；所述掺杂气路(3)上等间距设有多个气孔(4)；所述掺杂气路(3)与设于所述线圈主体内的进气气路(5)连接。
2.根据权利要求1所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)开设于所述掺杂气路(3)的上端面，所述气孔(4)在所述线圈主体的轴向上贯通所述线圈主体的上端面。
3.根据权利要求1所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)开设于所述掺杂气路(3)的下端面，所述气孔(4)在所述线圈主体的轴向上贯通所述线圈主体的下端面。
4.根据权利要求2或3任一项所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)有四个，以所述长切缝为对称轴两侧各设有两个。
5.根据权利要求2或3任一项所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)有六个，以所述长切缝为对称轴两侧各设有三个。
6.根据权利要求2或3任一项所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)有八个，以所述长切缝为对称轴两侧各设有四个。
7.根据权利要求1所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)有三个，三个所述气孔(4)设于所述掺杂气路(3)的内环壁上且与所述十字切缝(2)的三个短切缝一一对应；所述气孔(4)在所述线圈主体的径向上向内延伸至与所述十字切缝(2)的短切缝连通。
8.根据权利要求1、2、3或7任一项所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述进气气路(5)出气端与所述掺杂气路(3)连通，所述进气气路(5)进气端穿透所述线圈主体的外表面。
9.根据权利要求8所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述进气气路(5)沿所述线圈主体的径向开设，所述进气气路(5)位于所述掺杂气路(3)的对称轴线上。
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