[发明专利]鳍式场效晶体管装置的结构

说明书

本公开一些实施例提供了一种鳍式场效晶体管装置的结构及其形成方法。鳍式场效晶体管装置的结构包括形成于基底上方的隔离结构以及形成于隔离结构上方的栅极结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括形成于隔离结构的上方且邻近栅极结构的第一介电层，以及形成于第一介电层中的源极/漏极接触结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括穿过第一介电层且邻近源极/漏极接触结构的深接触结构。深接触结构穿过隔离结构，且源极/漏极接触结构的底表面高于深接触结构的底表面。

技术领域

本发明实施例内容涉及一种鳍式场效晶体管装置的结构，特别涉及一种具有深接触结构的鳍式场效晶体管装置的结构。

背景技术

半导体装置使用于各种不同的电子产品应用中，诸如个人电脑、手机、数字数码相机及其他电子设备(electronic equipment)。半导体装置的制造通常依序通过沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层材料于一半导体基底上方，并利用微影(光刻)工艺来对各种不同的材料层进行图案化，借此在此半导体基底之上形成电路零件及组件。通常在单一个半导体晶圆上制造许多集成电路，并且通过沿着在集成电路之间的切割线进行切割，以分离出晶圆上的各个晶粒。而各个晶粒例如是分别封装在多芯片模块中，或是封装在其它类型的封装结构中。

随着半导体工业进展到纳米技术工艺节点以追求高装置密度、高性能与低成本，从制造与设计方面的问题所带来的挑战促进了三维设计的发展，例如鳍式场效晶体管(FinFET)的三维设计。鳍式场效晶体管(FinFET)具有从基底延伸出来的薄的垂直“鳍”(或鳍片结构)。鳍式场效晶体管的通道形成于垂直鳍之中。栅极位于鳍之上。鳍式场效晶体管的优点包括可降低短通道效应以及可提供更高电流的流通。

虽然现有的鳍式场效晶体管装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法通常可以适当地达到其预期目的，但它们并非在所有方面都令人完全满意。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种鳍式场效晶体管装置的结构。鳍式场效晶体管装置的结构包括形成于基底上方的隔离结构以及形成于隔离结构上方的栅极结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括形成于隔离结构的上方且邻近栅极结构的第一介电层，以及形成于第一介电层中的源极/漏极接触结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括穿过第一介电层且邻近源极/漏极接触结构的深接触结构。深接触结构穿过隔离结构，且源极/漏极接触结构的底表面高于深接触结构的底表面。

本发明的一些实施例提供另一种鳍式场效晶体管装置的结构。鳍式场效晶体管装置的结构包括具有一第一区域和一第二区域的基底以及形成于基底上方的隔离结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括形成于基底的第一区域中的鳍片结构，以及形成于第一区域与第二区域中的鳍片结构与隔离结构上方的第一介电层。鳍式场效晶体管装置的结构亦包括形成于基底的第一区域中的鳍片结构上方的第一栅极结构，以及形成于基底的第二区域中的隔离结构上方的第二栅极结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括位于第一栅极结构以及第二栅极结构之间的深接触结构，且深接触结构穿过第一介电层以及隔离结构。

本发明的一些实施例还提供一种形成鳍式场效晶体管装置的结构的方法。此方法包括在基底的上方形成隔离结构以及在隔离结构的上方形成第一介电层。此方法还包括在第一介电层中形成栅极结构，以及形成深沟槽穿过第一介电层以及隔离结构。此方法还包括形成源极/漏极沟槽于第一介电层中，以及形成金属材料于深沟槽以及源极/漏极沟槽中，以分别形成深接触结构以及源极/漏极接触结构。源极/漏极接触结构的底表面高于深接触结构的底表面。

附图说明

通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A-图1H是根据本发明一些实施例的形成一鳍式场效晶体管装置的结构的多个中间阶段的立体示意图。