[发明专利]腔盖、半导体刻蚀装置及其温控方法

权利要求书

1.一种腔盖，用于封闭反应腔室，其特征在于，所述腔盖包括：

温控板，所述温控板内包含温度传感器，所述温度传感器用于测量温控板温度；

输入管道，连接所述温控板且在所述温控板中导通，用于传输换热介质，以与所述温控板进行热交换；

介质控制器，连接所述输入管道，用于基于所述温控板温度调整所述输入管道内部传输的所述换热介质的状态。

2.根据权利要求1所述的腔盖，其特征在于，所述换热介质的状态包括换热介质的类型、流速、流量、温度、物质形态中的一种或两种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的腔盖，其特征在于，所述温控板包括冷却板和加热板，所述温度传感器位于所述加热板内，所述输入管道连接所述温控板且在所述冷却板中导通。

4.根据权利要求1所述的腔盖，其特征在于，所述换热介质的状态为换热介质的流量；

所述介质控制器为设置于所述输入管道中的流量控制阀。

5.根据权利要求4所述的腔盖，其特征在于，所述流量控制阀包括阀门处理器和阀板，所述腔盖还包括：

温度控制组件，连接所述温度传感器和所述阀门处理器，用于接收所述温度传感器发送的所述温控板温度，并根据所述温控板温度生成调节信号，将所述调节信号发送至所述阀门处理器，以指示所述阀门处理器根据所述调节信号调整所述阀板的状态。

6.根据权利要求5所述的腔盖，其特征在于，所述温度控制组件包括：

处理器，连接所述温度传感器和所述流量控制阀，用于接收所述温度传感器获取的所述温控板温度、并用于接收所述流量控制阀检测到的所述输入管道内换热介质的当前流量；

温度控制器，连接所述处理器和所述流量控制阀，用于接收所述处理器发送的所述温控板温度和当前流量，并根据目标温度、所述温控板温度和所述当前流量生成调节信号，以指示所述阀门处理器根据所述调节信号调整所述流量控制阀中的阀板的状态。

7.根据权利要求4所述的腔盖，其特征在于，所述流量控制阀为蝴蝶阀。

8.根据权利要求1所述的腔盖，其特征在于，所述换热介质为冷却剂；所述输入管道内传输所述冷却剂的流量范围为15L/Min～25L/Min。

9.一种半导体刻蚀装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的腔盖。

10.一种半导体刻蚀装置的温控方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取目标温度和温控板温度，所述温控板温度由温控板内包含的温度传感器测量得到；

获取换热介质的状态，所述换热介质的状态由介质控制器检测得到；

基于所述目标温度、所述温控板温度和所述换热介质的状态，生成调节信号；

将所述调节信号发送至所述介质控制器，以指示所述介质控制器调整所述换热介质的状态。

11.根据权利要求10所述的半导体刻蚀装置的温控方法，其特征在于，所述换热介质的状态包括换热介质的类型、流速、流量、温度、物质形态中的一种或两种以上的组合。

12.根据权利要求10所述的半导体刻蚀装置的温控方法，其特征在于，所述换热介质的状态为换热介质的流量，所述介质控制器包括流量控制阀。

13.根据权利要求12所述的半导体刻蚀装置的温控方法，其特征在于，所述介质控制器调整所述换热介质的状态的具体步骤包括：

当所述温控板的温度高于第一预设温度时，则增大所述换热介质的流量；

当所述温控板的温度低于第一预设温度时，则减小所述换热介质的流量。

14.根据权利要求13所述的半导体刻蚀装置的温控方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述温控板的温度高于第二预设温度时，则增大所述换热介质的流量至第一预设流量；所述第二预设温度高于所述第一预设温度；

当所述温控板的温度低于第三预设温度时，则减小所述换热介质的流量至第二预设流量；所述第三预设温度低于所述第一预设温度。