[发明专利]一种压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

支撑结构，所述支撑结构中设置有参考压力腔；

所述支撑结构上的半导体层，所述参考压力腔之上的半导体层为压力敏感膜；

位于所述压力敏感膜上的掺杂的压阻条；

位于所述压阻条旁侧的压力敏感膜中的凹陷区。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，还包括：

覆盖所述压阻条表面的绝缘层；

覆盖所述绝缘层的导电层。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，还包括：

与所述半导体层电连接的引出层。

4.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，所述引出层沿所述支撑结构的边缘延伸。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压阻条为多个，多个压阻条用于形成惠斯通电桥。

6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压阻条与所述压力敏感膜为一体的半导体结构且具有相反的掺杂类型，所述压阻条突出于所述压力敏感膜表面。

7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，在压力敏感膜中还设置有减薄开口。

8.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，还包括分别与所述压阻条的两端连接的连线层，以及与所述连线层连接的焊垫，所述焊垫位于参考压力腔的外围区域之上。

9.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述参考压力腔为密闭真空腔；或者，所述参考压力腔为大气压力腔。

10.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述凹陷区的高度大于掺杂的压阻条的深度。

11.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底堆叠，所述衬底堆叠包括依次层叠的第一衬底以及第二半导体衬底，所述第一衬底中设置有空腔，所述第一衬底为支撑结构，所述空腔之上的第二半导体衬底为压力敏感膜；

在所述压力敏感膜的表层中形成掺杂的压阻条以及在压阻条旁侧的压力敏感膜中形成凹陷区。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成覆盖所述凹陷区表面以及压阻条表面的绝缘层；

形成覆盖所述绝缘层的导电层。

13.根据权利要求11或12所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成与所述第二半导体衬底电连接的引出层。

14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述压力敏感膜的表层中形成掺杂的压阻条以及在压阻条旁侧的压力敏感膜中形成凹陷区，包括：

在所述第二半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有压阻条的图案；

以所述掩膜层为掩蔽，进行掺杂工艺，以在所述压力敏感膜的表层中形成掺杂的压阻条；

去除所述压阻条旁侧部分厚度的压力敏感膜，以形成凹陷区。

15.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成贯穿所述第一衬底至所述空腔的参考压力腔。

16.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，还包括：在压阻条的旁侧的压力敏感膜中形成减薄开口。