[发明专利]离子植入设备及其校准方法

权利要求书

1.一种校准方法，包括：

基于一离子植入配方，以一离子植入设备的一离子源产生多个离子；

从所述多个离子中分离出具有一电荷质量比的一同调离子束；

基于在该离子植入配方中的一离子能设定来加速所产生的该同调离子束；

判定所加速的该同调离子束的一能谱；

分析所判定的该能谱和该离子能设定之间的一关系；以及

基于所分析的该关系来调整该离子植入设备的一最终能量磁铁的至少一参数。

2.如权利要求1所述的校准方法，其中该至少一参数包括该最终能量磁铁的射束控制电流。

3.如权利要求1所述的校准方法，还包括判定所判定的该能谱的一峰值能量。

4.如权利要求3所述的校准方法，其中该关系包括该峰值能量和该离子能设定之间的一差值。

5.如权利要求4所述的校准方法，其中该调整该至少一参数包括调整该至少一参数，使得该峰值能量和该离子能设定之间的该差值小于一预定值。

6.如权利要求5所述的校准方法，其中该预定值包括该离子能设定的约1％、约3％或约5％的能量差值。

7.如权利要求5所述的校准方法，其中该预定值包括该离子能设定的约3％的能量差值。

8.如权利要求5所述的校准方法，其中该预定值包括该离子能设定的约5％的能量差值。

9.如权利要求1所述的校准方法，还包括基于所分析的该关系来维持该至少一参数。

10.如权利要求1所述的校准方法，其中所产生的所述多个离子包括氙离子。

11.一种校准方法，用于校准一离子植入设备，包括：

在该离子植入设备中载入一离子植入配方；

基于该离子植入配方，以一离子源产生多个离子；

从所述多个离子中分离出具有一电荷质量比的一同调离子束；

基于在该离子植入配方中的一离子能设定来加速该同调离子束；

在该离子植入设备的一最终能量磁铁处判定所加速的该同调离子束的一能谱；

判定该能谱的一第一峰值能量；

判定该第一峰值能量和该离子能设定之间的一第一差值；

响应于该第一差值大于一预定值，调整该最终能量磁铁的至少一参数；

判定该能谱的一第二峰值能量以及该第二峰值能量和该离子能设定之间的一第二差值；以及

响应于该第二差值小于该预定值，维持该最终能量磁铁的该至少一参数。

12.如权利要求11所述的校准方法，其中该至少一参数包括该最终能量磁铁的射束控制电流。

13.如权利要求11所述的校准方法，还包括响应于该第二差值小于该预定值，在该离子植入设备中载入另一离子植入配方。

14.如权利要求11所述的校准方法，其中该调整该至少一参数包括调整该第一峰值能量和该离子能设定之间的该第一差值，以使该第一差值小于该预定值。

15.如权利要求11所述的校准方法，其中该预定值包括该离子能设定的约1％的能量差值。