[发明专利]移相器及天线

权利要求书

1.一种移相器，划分为第一信号传输区、第二信号传输区和相位调整区；所述移相器包括：相对设置的第一基底和第二基底；位于第一基底和第二基底之间，对应所述第一信号传输区和所述第二信号传输区的位置的信号传输结构，对应所述相位调整区的移相结构，其中，所述信号传输结构，用于传输微波信号；所述移相结构，用于调整所述微波信号的相位；其特征在于，所述移相器还包括：位于所述第一基底和所述第二基底之间的隔离挡墙；其中，

所述隔离挡墙，用于将所述信号传输结构的介质层与移相结构中的介质层分隔开。

2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述隔离挡墙环绕所述相位调整区设置。

3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述隔离挡墙的材料包括封框胶。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的移相器，其特征在于，所述第一信号传输结构和第二信号传输结构均包括：参考电极、设置在所述第一基底上的耦合支路和时延支路，以及设置在所述第二基底上的接收电极；其中，

所述耦合支路和时延支路均与参考电极形成电流回路；

所述耦合支路的第一端和所述时延支路的第一端均与功率分配器连接；所述时延支路的第二端连接所述移相结构中的第一传输线，所述耦合支路的第二端悬接；

所述耦合支路和所述接收电极在所述第二基底上的正投影至少部分重叠；所述接收电极连接所述移相结构中的第二传输线。

5.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述耦合支路和所述时延支路的长度不同。

6.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述耦合支路的长度范围为1mm-30mm。

7.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述耦合支路和所述时延支路之间的最小间距范围为所述耦合支路的线宽的2-3倍以上。

8.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述移相结构中的第一传输线设置在所述第一基底上，与所述时延支路和所述耦合支路同层设置且材料相同；和/或，

所述移相结构中的第二传输线设置在所述第二基底上，与所述接收电极同层设置且材料相同。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的移相器，其特征在于，所述信号传输结构包括：设置在所述第一基底上的阻抗匹配线；所述阻抗匹配线连接所述移相结构中的第一传输线。

10.根据权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述阻抗匹配线的线宽沿信号传输区指向相位调整区方向线宽逐渐增宽。

11.根据权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述移相结构中的第一传输线设置在所述第一基底上，与所述阻抗匹配线同层设置且材料相同。

12.根据权利要求1-3中任一项所述的移相器，其特征在于，所述相位调整区中的介质层包括液晶分子。

13.一种天线，其特征在于，包括权利要求1-12中任一项所述的移相器。