[发明专利]半导体制程检测方法及检测系统

说明书

本发明实施例涉及一种半导体制程检测方法及检测系统，检测方法包括：基于所述晶圆标签以及所述历史数据，对每一所述工艺站点建立分类器，所述历史数据作为所述分类器的输入，所述晶圆标签作为所述分类器的输出；基于所述分类器对每一工艺站点进行分类验证，获取每一工艺站点对应的实际准确度，所述实际准确度越高表征相应工艺站点对晶圆质量的贡献率越大；基于所述分类验证的结果，检测获取影响晶圆质量的至少一个关键工艺站点；上报所述关键工艺站点。本发明实施例能够及时有效的检测出多个工艺站点中影响晶圆质量的关键工艺站点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体制程检测方法及检测系统。

背景技术

半导体器件生产中，从晶圆到制成最终产品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况，对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。

晶圆经历不同的工艺站点，在每一工艺站点进行相应的工艺步骤；且每一工艺站点设置有相应的工艺参数，该工艺参数由至少两个关键传感器采集的数据表征。产品的电性及良率，是由多个工艺站点所累加影响的表现。

如何从多个工艺站点中检测影响产品电性及良率的工艺站点，是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体制程检测方法以及检测系统，能够从多个工艺站点中获取影响晶圆质量的关键工艺站点。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体制程检测方法，半导体制程包括多个工艺站点，包括：收集晶圆标签以及所述多个工艺站点的历史数据，所述晶圆标签用于表征晶圆质量是否合格，且所述历史数据包括与每一所述工艺站点相对应的传感器数据；基于所述晶圆标签以及所述历史数据，对每一所述工艺站点建立分类器，所述历史数据作为所述分类器的输入，所述晶圆标签作为所述分类器的输出；基于所述分类器对每一工艺站点进行分类验证，获取每一工艺站点对应的实际准确度，所述实际准确度越高表征相应工艺站点对晶圆质量的贡献率越大；基于所述分类验证的结果，检测获取影响晶圆质量的至少一个关键工艺站点；上报所述关键工艺站点。

另外，所述检测获取影响晶圆质量的至少一个关键工艺站点，方法包括：提供第一阈值；获取大于或等于所述第一阈值的若干实际准确度，将所述若干准确度对应的所述工艺站点选定为所述关键工艺站点。

另外，还包括：设定多个特征参数，所述特征参数为预先设定影响所述晶圆质量的变量参数；所述对每一所述工艺站点建立分类器，包括：基于所述特征参数对所述历史数据进行特征选择，从所述历史数据中筛选出与所述特征参数对应的相关数据；基于所述相关数据以及所述晶圆标签，建立分类器。

另外，在获取所述关键工艺站点之后，还包括：对所述关键工艺站点中的特征参数进行乱序处理；获取所述乱序处理后的所述分类器的准确度变化；基于所述准确度变化，获取所述关键工艺站点中的至少一个关键特征参数。

另外，所述获取所述关键工艺站点中的至少一个关键特征参数，包括：基于分类器对进行乱序处理后的关键工艺站点进行预测分类验证，获取所述乱序处理后的预测准确度；基于所述预测准确度与所述实际准确度，检测获取影响晶圆质量的至少一个关键特征参数。

另外，所述检测获取影响晶圆质量的至少一个关键特征参数，方法包括：提供第二阈值；获取所述预测准确度与所述实际准确度之间的差值；获取大于或等于所述第二阈值的若干差值，将所述若干差值对应的所述特征参数选定为所述关键特征参数。

另外，所述多个特征参数包括：温度参数、压力参数、气体种类参数或者气体流量参数中的任意多种。

另外，所述基于所述特征参数对所述历史数据进行特征选择，包括：采取遗失值判断法，对所述历史数据进行第一过滤选择；采取返工值判断法，对所述历史数据进行第二过滤选择；采取卡方检验法，对所述历史数据进行第三过滤选择。