[发明专利]一种纳米晶带材的热处理工艺方法在审
申请号: | 201910751542.5 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN112391522A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 许晓飞;潘登;李福山;董晓磊;牛章彦 | 申请(专利权)人: | 河南中岳非晶新型材料股份有限公司 |
主分类号: | C21D9/52 | 分类号: | C21D9/52;C21D1/04;C21D1/26;H01F41/02 |
代理公司: | 郑州华智星知识产权代理事务所(普通合伙) 41145 | 代理人: | 刘迪 |
地址: | 452470 河南省郑州市登封*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 晶带材 热处理 工艺 方法 | ||
1.一种纳米晶带材的热处理工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)摆盘:
A1将纳米晶带材卷绕成需要尺寸的磁芯;
A2对待热处理的磁性按照厂家、规格和缠绕人进行分类;
A3检查磁芯的焊缝和外观;
2)检查:
检测热处理设备的工作情况;
3)入炉:
将纳米晶带材卷绕的磁芯按照一定规则排放于热处理炉中进行热处理,且热处理炉内的温度在200℃-280℃;
4)退火:
包括加热阶段、保温阶段和降温阶段;
且所述保温阶段分为多个阶段,且所述保温阶段的多个阶段分散在所述保温阶段中,实现将所述加温阶段分割为多个阶段;
所述磁芯的热处理温度为200-560℃,升温时间为1小时-4小时,保温时间为2小时-4小时;
且在降温过程中加入磁场;
5)抽检:
所述热处理结束后从热处理炉中取出磁芯。
2.根据权利要求1所述的纳米晶带材的热处理工艺方法,其特征在于,在降温过程中,当所述温度降到350℃-360℃时,加入磁场。
3.根据权利要求1所述的纳米晶带材的热处理工艺方法,其特征在于,所述磁场为横磁场。
4.根据权利要求1所述的纳米晶带材的热处理工艺方法,其特征在于,所述热处理步骤中,当热处理温度降到230℃以后取出磁芯。
5.根据权利要求1所述的纳米晶带材的热处理工艺方法,其特征在于,所述热处理的具体步骤:
所述第一加热阶段经过50-90min把热处理炉内的温度从初始温度加热到400-420℃;
所述第一保温阶段在400-420℃,保温20-60min;
所述第二加热阶段在30-60min内升温至460-480℃;
所述第二保温阶段在460-480℃,保温20-60min;
所述第三加热阶段在40-60min内升温至480-560℃;
所述第三保温阶段在480-560℃,保温20-60min。
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