[发明专利]电极结构、半导体结构和电极结构的制造方法

权利要求书

1.一种电极结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的沟槽；

由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的接触区,以及

填充在沟槽内部的填充材料，

其中，所述接触区与所述沟槽外侧壁相接触，

所述电极结构还包括位于所述沟槽侧壁外和底部下方的掺杂层，其中，所述掺杂层的掺杂类型和所述接触区的掺杂类型相同，

位于所述沟槽两侧的阱区，其中，所述接触区位于所述阱区中，所述阱区与所述接触区的掺杂类型相同。

2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述沟槽为顶部宽度大于底部宽度的梯形沟槽。

3.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述接触区通过连接端子连接预定的电位。

4.根据权利要求3所述的电极结构，其特征在于，当所述接触区为不同的掺杂类型时，其连接的电位不同。

5.根据权利要求3所述的电极结构，其特征在于，所述接触区的掺杂类型为N型时连接的电位高于所述接触区的掺杂类型为P型时连接的电位。

6.根据权利要求3所述的电极结构，其特征在于，当所述接触区的掺杂类型为P型时，所述接触区连接至GND电位。

7.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述填充材料为氧化物，或未掺杂的多晶材料或硼酸玻璃。

8.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述填充材料为金属或掺杂的多晶材料。

9.一种电极结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底；

以所述半导体基底的上表面作为蚀刻起点蚀刻所述半导体基底，以形成由所述半导体基底上表面延伸至所述半导体基底内部的沟槽；

采用填充材料填充所述沟槽；以及

在所述沟槽的侧壁外形成由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的接触区，

其中，所述接触区与所述沟槽外侧壁相接触，

在所述沟槽形成之后，还包括通过离子注入在所述沟槽侧壁外和底部下方形成掺杂层，其中，所述掺杂层的掺杂类型和所述接触区的掺杂类型相同,

在形成所述接触区之前，还包括在所述沟槽两侧形成阱区，其中，所述接触区位于所述阱区中，所述阱区与所述接触区的掺杂类型相同。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述沟槽为顶部宽度大于底部宽度的梯形沟槽。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括形成与所述接触区连接预定电位的连接端子。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，当所述接触区为不同的掺杂类型时，其连接的电位不同。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述填充材料为氧化物，或未掺杂的多晶材料或硼酸玻璃。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述填充材料为金属或掺杂的多晶材料。

15.一种半导体结构，其特征在于，包括：

位于所述半导体基底第一区域的第一MOS晶体管；

位于所述半导体基底第二区域的第二MOS晶体管；以及

根据权利要求1-8任一所述的电极结构，

其中，所述电极结构位于所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管之间，用于吸收所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管之间流动的载流子，以避免第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管之间的寄生结构导通。