[发明专利]多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201910753004.X | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110444467A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 魏星;徐洪涛;陈猛;高楠;苏鑫 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜 衬底 多晶硅薄膜层 半导体 制备 交替生长 释放 生长 高低温 翘曲度 弯曲度 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底；
在第一温度下，在所述衬底上生长至少一第一多晶硅薄膜层；
在第二温度下，在所述第一多晶硅薄膜层上生长至少一第二多晶硅薄膜层，所述第一温度与所述第二温度不同，以释放多晶硅薄膜的应力。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在生长所述第一多晶硅薄膜层之前还包括一预处理步骤：采用氮气或者惰性气体对所述衬底进行预处理，所述预处理的时间小于5分钟。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，生长所述第一多晶硅薄膜层及所述第二多晶硅薄膜层的方法为常压化学气相沉积法。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，生长所述第一多晶硅薄膜层及所述第二多晶硅薄膜层的硅源的气体流量为3～5slm。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，生长所述第一多晶硅薄膜层及所述第二多晶硅薄膜层的硅源为三氯氢硅、二氯氢硅中的一种或两种。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度的范围为850℃～1000℃，所述第二温度的范围为850℃～1000℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度小于所述第二温度。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度大于所述第二温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新傲科技股份有限公司，未经上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910753004.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
