[发明专利]用于改善对非收集的相邻信号的检测的阳极

权利要求书

1.一种辐射检测器组件，包括：

半导体检测器，所述半导体检测器具有表面；

准直器，所述准直器设置在所述表面上方，所述准直器具有限定像素的开口；

多个像素化阳极，所述多个像素化阳极设置在所述表面上，每个像素化阳极被配置为响应于所述像素化阳极对光子的接收而生成主信号，并且响应于由至少一个周围阳极对光子的接收引起的感应电荷而生成至少一个辅信号，其中每个像素化阳极包括位于所述准直器的不同开口中的第一部分和第二部分；和

至少一个处理器，所述至少一个处理器能够操作地耦接到所述像素化阳极，所述至少一个处理器被配置为：

响应于所述阳极中的一个对光子的接收，从所述像素化阳极中的所述一个获取主信号；

响应于由所述阳极中的所述一个对所述光子的接收所引起的感应电荷，从所述像素化阳极中的所述一个的至少一个相邻像素化阳极获取至少一个辅信号；以及

使用所述主信号和所述至少一个辅信号来确定用于所述光子的接收的位置。

2.根据权利要求1所述的辐射检测器组件，其中所述像素化阳极中的每一个包括：被配置为响应于所述像素化阳极对光子的接收而收集主要电荷的收集部分，以及被配置为响应于相邻像素化阳极对光子的接收而收集次要电荷的非收集部分。

3.根据权利要求2所述的辐射检测器组件，其中所述第一部分被配置为所述收集部分，并且所述第二部分被配置为设置在相邻像素化阳极上方的所述准直器的开口内的所述非收集部分。

4.根据权利要求2所述的辐射检测器组件，其中所述像素化阳极由包括阳极单元结构的阳极单元格制成，其中每个阳极单元结构包括形成不同像素化阳极的部分的第一部分和第二部分。

5.根据权利要求4所述的辐射检测器组件，其中所述阳极单元结构包括交织的收集和非收集网格。

6.根据权利要求5所述的辐射检测器组件，其中所述非收集网格包括插入到绝缘层之间的阳极条。

7.根据权利要求5所述的辐射检测器组件，其中所述网格包括从基条延伸以形成叉状结构的阳极条。

8.根据权利要求2所述的辐射检测器组件，其中所述处理单元被配置为基于对主像素化阳极产生的收集信号和与所述主像素相邻的次像素中增强的非收集信号的同时测量来确定所述位置。

9.根据权利要求1所述的辐射检测器组件，其中所述准直器的所述开口偏离所述像素化阳极。

10.一种辐射检测器组件，包括：

半导体检测器，所述半导体检测器具有表面；

准直器，所述准直器设置在所述表面上方，所述准直器具有限定像素的开口；

多个像素化阳极，所述多个像素化阳极设置在所述表面上，每个像素化阳极被配置为响应于所述像素化阳极对光子的接收而生成主信号，并且响应于由至少一个周围阳极对光子的接收引起的感应电荷而生成至少一个辅信号，其中每个像素化阳极由包括阳极单元结构的阳极单元格制成，其中每个阳极单元结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分形成位于与所述准直器的不同开口对应的不同像素中的不同像素化阳极的部分；和

至少一个处理器，所述至少一个处理器能够操作地耦接到所述像素化阳极，所述至少一个处理器被配置为：

响应于所述阳极中的一个对光子的接收，从所述像素化阳极中的所述一个获取主信号；

响应于由所述阳极中的所述一个对所述光子的接收所引起的感应电荷，从所述像素化阳极中的所述一个的至少一个相邻像素化阳极获取至少一个辅信号；以及

使用所述主信号和所述至少一个辅信号来确定用于所述光子的接收的位置。

11.根据权利要求10所述的辐射检测器组件，其中每个阳极单元结构包括：被配置为响应于相关联像素化阳极对光子的接收而收集主要电荷的收集部分，以及被配置为响应于相邻像素化阳极对光子的接收而收集次要电荷的非收集部分。