[发明专利]一种LVDT线性精度补偿工艺

说明书

本发明公开一种LVDT线性精度补偿工艺，首先，将绕线骨架、初级绕组、第一次级绕组、第二次级绕组、第一补偿线圈、第二补偿线圈作为线包组件的主要构成；然后，通过铁芯在绕线骨架的通孔内位移，分别测量得到相应的第一补偿线圈和第二补偿线圈的输出电压；接着，对线包组件进行灵敏度测试，根据实测输出灵敏度值判断补偿方案，使得全行程范围的灵敏度合格。本发明针对绕线空间小，同时要求位移行程大的LVDT结构提供了线性补偿方案，减小因绕线空间不足而导致铁芯末段漏磁的现象，可通过本发明补偿线圈测试方案得到相应的输出电压，并通过灵敏度公式和精度误差公式计算出准确的线圈补偿位置以及补偿匝数。

技术领域

本发明涉及位移传感器领域技术，尤其是指一种LVDT线性精度补偿工艺。

背景技术

现有技术中，LVDT的线性精度控制主要由初级和次级层数比例决定，可通过改变初级和次级绕线方案从而改善输出精度，一般次级绕线可采用阶梯绕线改善线性度不良问题。

由于LVDT传感器的安装位置受航空、航天、舰船发动机等实际安装空间影响，导致传感器设计结构受限。而绕线空间不足将严重影响输出线性度，使得输出精度不良。故在现有条件下，采用阶梯绕线无法有效满足补偿输出线性度问题。因此，有必要在现有技术的基础之上提出针对小尺寸、大行程LVDT传感器结构的线性补偿方案，以改善输出精度不良问题。

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种LVDT线性精度补偿工艺，其可根据实际产品的输出灵敏度进行高效、准确的补偿，提供了两种补偿方案，以提高生产效率。本发明填补了针对小尺寸，大行程LVDT传感器结构线性补偿方案的空白。

为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：

一种LVDT线性精度补偿工艺，首先，将绕线骨架、初级绕组、第一次级绕组、第二次级绕组、第一补偿线圈、第二补偿线圈作为线包组件的主要构成；然后，通过铁芯在绕线骨架的通孔内位移，分别测量得到相应的第一补偿线圈和第二补偿线圈的输出电压；接着，对线包组件进行灵敏度测试，根据实测输出灵敏度值判断补偿方案，使得全行程范围的灵敏度合格。

优选的，所述补偿方案通过灵敏度和精度误差计算公式，得到补偿位置和线圈匝数。

优选的，所述初级绕组各位置的厚度相同，该第一次级绕组覆盖住初级绕组上，第一次级绕组的厚度由左端向右端呈线性逐渐增厚，该第二次级绕组覆盖于第一次级绕组上，第二次级绕组的厚度由右端向左端呈线性逐渐增厚，该第一补偿线圈和第二补偿线圈根据线包组件灵敏度测试，判断补偿位置，然后缠绕至第一次级绕组或第二次级绕组外,第一补偿线圈与第一次级绕组的出线端连接，第二补偿线圈与第二次级绕组的出线端连接。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：

本发明针对绕线空间小，同时要求位移行程大的LVDT结构提供了线性补偿方案，减小因绕线空间不足而导致铁芯末段漏磁的现象，可通过本发明补偿线圈测试方案得到相应的输出电压，并通过灵敏度公式和精度误差公式计算出准确的线圈补偿位置以及补偿匝数，为实际绕线生产提供高效、精准的线性补偿方案。

为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明：

附图说明

图1是本发明之较佳实施例中LVDT的工作原理示意图；

图2是本发明之较佳实施例中行程末段线性度不良的示意图；

图3是本发明之较佳实施例中行程中间段灵敏度不合格的示意图；

图4是本发明之较佳实施例中测试点+23mm处补偿线圈的示意图；

图5是本发明之较佳实施例中在+8mm位置处补偿线圈的示意图；