[发明专利]用于读出放大器的浮置升压预充电方案

权利要求书

1.一种感测结构，包括：

读出放大器核，被配置为将测量电流与参考电流进行比较；

共源共栅晶体管，耦合到所述读出放大器核，并且被配置为耦合到负载；

开关，耦合在所述共源共栅晶体管的偏置电压节点和控制端子之间；

本地电容器，具有耦合到所述共源共栅晶体管的所述控制端子的第一端子；

第一晶体管，耦合在所述本地电容器的第二端子和参考端子之间；以及

控制电路，耦合到所述第一晶体管的控制端子，所述控制电路被配置为将所述本地电容器与所述参考端子断开，以在所述共源共栅晶体管的所述控制端子中产生电压过冲，并且在将所述本地电容器与所述参考端子断开之后，通过调整所述第一晶体管的所述控制端子的电压来限制或减少所述电压过冲。

2.根据权利要求1所述的感测结构，其中所述控制电路被配置为基于所述开关两端的电压来调整所述第一晶体管的所述控制端子的所述电压。

3.根据权利要求1所述的感测结构，其中所述控制电路包括：

第二晶体管，耦合在所述本地电容器的所述第二端子和所述参考端子之间；

第三晶体管，耦合在所述第一晶体管的所述控制端子和所述参考端子之间；以及

第一端子，被配置为接收第一电压，其中所述第一端子耦合到所述第二晶体管的控制端子，并且耦合到所述第三晶体管的控制端子。

4.根据权利要求3所述的感测结构，其中所述控制电路还包括：

第四晶体管，具有耦合到所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子；

第五晶体管，耦合在所述控制电路的电源端子和所述第四晶体管之间，所述第五晶体管具有耦合到所述偏置电压节点的控制端子；以及

第六晶体管，耦合在所述控制电路的所述电源端子和所述第四晶体管之间，所述第六晶体管具有耦合到所述共源共栅晶体管的所述控制端子的控制端子。

5.根据权利要求4所述的感测结构，其中所述控制电路还包括：

第七晶体管，耦合在所述控制电路的所述电源端子和所述第五晶体管之间，所述第七晶体管具有耦合到所述第一端子的控制端子；以及

第八晶体管，耦合在所述控制电路的所述电源端子和所述第六晶体管之间，所述第八晶体管具有耦合到所述第一端子的控制端子。

6.根据权利要求5所述的感测结构，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是NMOS晶体管，并且其中所述第七晶体管和所述第八晶体管是PMOS晶体管。

7.根据权利要求5所述的感测结构，其中所述控制电路还包括第九晶体管，所述第九晶体管耦合在所述控制电路的所述电源端子和所述第五晶体管之间，所述第九晶体管具有被配置为接收第二偏置电压的控制端子，并且其中所述读出放大器核被配置为接收所述第二偏置电压。

8.根据权利要求5所述的感测结构，其中所述第四晶体管的所述控制端子耦合到所述第五晶体管的漏极端子。

9.根据权利要求1所述的感测结构，还包括：

第二开关，耦合在所述感测结构的电源端子和所述共源共栅晶体管之间；以及

第三开关，耦合在所述第二开关和所述读出放大器核之间。

10.根据权利要求1所述的感测结构，还包括被配置为在所述偏置电压节点处生成偏置电压的偏置级，其中所述偏置级包括：

放大器，具有耦合到所述偏置级的所述输出的输出；

公共电容器，耦合到所述偏置级的所述输出；以及

第十晶体管，具有耦合到所述偏置级的所述输出的控制端子。

11.根据权利要求1所述的感测结构，其中所述共源共栅晶体管被配置为耦合到存储器单元作为所述负载。