[发明专利]一种Te掺杂2H@1T MoS2

权利要求书

1.一种Te 掺杂2H@1T MoS₂纳米异相结材料的制备方法，所述异相结材料为Te 锚定在S位置形成Te 掺杂2H@1T MoS₂超薄二维纳米片结构，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）将0.25-1mmol 四水合钼酸铵与 3.5-14 mmol 硫脲完全溶解于8.75ml去离子水中，后将溶液倒入特氟龙内衬的高温反应釜中，将反应釜放在电热鼓风干燥箱中，温度维持在200-250℃，反应10-18h后，自然冷却至室温；

（2）产物离心分离，并用去离子水和乙醇冲洗若干次后置于真空干燥箱内干燥6-12 h，得到2H MoS₂；

（3）取90-100 mg 干燥后的粉末2H MoS₂ 与78-312 mg的Te粉研磨30min 后平铺在60mm*30mm的磁舟底部，将其放入管式炉中，室温下持续通入10% Ar/H₂气体30 min 后，以5℃/min的升温速率升至700-900℃并维持8 h后，自然冷却至室温。

2.权利要求1所述的Te 掺杂2H@1T MoS₂纳米异相结材料的制备方法制得的纳米异相结材料在制备超级电容器正极材料方面的应用。